离子注入设备用氧化铝陶瓷部件 | 高纯度半导体组件
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铝土矿陶瓷零件用于离子注入设备 | 高纯度半导体组件
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基本信息
物流方式:快递
规格编号:SN001Al2O3017
商品介绍

用于离子注入设备的氧化铝陶瓷零件 | 高纯度半导体组件


用于离子注入设备的高纯度铝土矿陶瓷零件。出色的电绝缘性、热稳定性和等离子体抗性,适用于半导体制造环境。


  • 氧化铝陶瓷离子注入零件

  • 半导体陶瓷组件

  • 离子注入机陶瓷零件

  • 高纯氧化铝半导体零件

  • 真空系统的陶瓷组件

  • 耐等离子陶瓷部件


产品概述

用于离子注入设备的氧化铝陶瓷零件是半导体制造系统中使用的精密工程组件。这些组件由高纯度氧化铝(Al₂O₃)制成,提供出色的电绝缘性、热稳定性和对等离子体及真空环境的耐受性,确保在先进半导体工艺中实现可靠的性能。


主要特点

1. 高纯氧化铝 (≥99%)
最大限度地减少污染并符合严格的半导体洁净度标准。

2. 优异的电气绝缘性
支持高压离子注入系统稳定运行。

3. 等离子体和真空兼容性
耐等离子体暴露,适用于超高真空环境。

4. 热稳定性
在温度波动下保持尺寸稳定性。

5. 低颗粒产生
对于维持晶圆产量和工艺可靠性至关重要。


应用

  • 离子注入系统

  • 半导体晶圆加工设备

  • 真空和等离子体处理腔

  • 高压绝缘组件

  • 精密半导体工具


技术优势

  • 非金属和非磁性材料

  • 高介电强度

  • 在反应性环境下的耐腐蚀性

  • 适用于洁净室和半导体厂


定制选项

  • 用于设备集成的复杂几何形状

  • 高精度加工和严格的公差

  • 用于低颗粒产生的表面处理

  • 基于半导体设备要求的定制设计


本地化标题 (美国)

用于离子注入设备的铝土矿陶瓷零件 | 美国半导体供应商

本地化内容片段

我们为美国各地的半导体制造商提供离子注入系统的高纯氧化铝陶瓷部件。我们的部件专为真空兼容性、耐等离子性和先进晶圆加工环境中的精密性能而设计。

提供工程支持和全球交付。


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材料特性表

类型 
单位
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
材料
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99.5%
Al₂O₃ 99.7%
Al₂O₃‑ZrO₂
颜色
-
白色象牙色白色
象牙白
白色
密度
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
抗弯强度
MPa
280
320
370
480
抗压强度
MPa
2250
2300
2450
2700
弹性模量
GPa
330
370
380
350
断裂韧性
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
泊松比

0.23
0.22
0.22
0.24
硬度
HRA
90
91
91
91
维氏硬度
HV1
1450
1550
1600
1600
热膨胀
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
导热性
W/m·K
25
32
32
8
热冲击
ΔT·℃
200
220
220
470
最高使用温度 (氧化性)

1200
1400
1650
1000
最高使用温度(还原性)

1200
1400
1700
1000
体积电阻率 (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
介电强度
kV/mm
16
20
22
16.5
介电常数(1MHz)
-11.5111011
介电损耗 (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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