Siliziumkarbid-Keramik-Wafer-Vakuum-Chuck | Hochpräzise SiC-Wafer-Halte-Lösungen
Siliziumkarbid (SiC) Keramik-Vakuumspannvorrichtungen für die Handhabung und Verarbeitung von Wafern. Hohe Steifigkeit, thermische Stabilität und geringe Partikelerzeugung für Halbleiteranwendungen.
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Vakuum-Saugplatte für Wafer
Halbleiter-Wafer-Spannvorrichtung Keramik
hochpräziser Wafer-Halte-Chuck
SiC-Vakuum-Chuck für Halbleiter
Produktübersicht
Der Vakuum-Chuck aus Siliziumkarbid (SiC)-Keramikwafer ist eine hochpräzise Komponente, die für die Handhabung, Positionierung und Verarbeitung von Wafern in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Mit außergewöhnlicher Steifigkeit, thermischer Stabilität und geringer Partikelbildung gewährleisten SiC-Vakuum-Chucks eine sichere Waferfixierung und hochpräzise Verarbeitung in Reinraumumgebungen.
Hauptmerkmale
1. Hohe Steifigkeit & Festigkeit
Siliziumkarbid bietet hervorragende Steifigkeit und gewährleistet eine stabile Waferunterstützung.
2. Präzisions-Vakuumadsorption
Gleichmäßige Saugverteilung für sichere und präzise Wafer-Positionierung.
3. Ausgezeichnete thermische Stabilität
Behält die Maßgenauigkeit bei Temperaturschwankungen bei.
4. Geringe Partikelgenerierung
Ideal für kontaminationsanfällige Halbleiterprozesse.
5. Hohe Ebenheit & Oberflächengenauigkeit
Gewährleistet konsistenten Wafer-Kontakt und Prozesspräzision.
Anwendungen
Ausrüstung zur Verarbeitung von Halbleiterwafern
Lithographie- und Ätzsysteme
CMP-Ausrüstung (chemisch-mechanische Planarisierung)
Waferinspektions- und Messtechnikwerkzeuge
Vakuumhandhabungssysteme
Technische Vorteile
Verbesserte Genauigkeit bei der Waferhandhabung
Reduzierte Vibration und Verformung
Stabile Leistung in Hochtemperaturumgebungen
Lange Lebensdauer im Hochzyklusbetrieb
Anpassungsoptionen
Chuck-Durchmesser und -Dicke
Vakuumlochmuster-Design
Kontrolle der Oberflächenebene und Rauheit
Integration mit Ausrüstungssystemen
OEM-Produktion nach Zeichnung
Lokalisierter Titel (US)
SiC-Keramik-Vakuum-Chucks für Wafer | Präzisions-Halbleiterkomponentenlieferant in den USA
Lokalisierter Inhaltsausschnitt
Wir liefern hochpräzise Siliziumkarbid-Keramik-Vakuumwafer-Spannvorrichtungen in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere SiC-Komponenten bieten hervorragende Steifigkeit, thermische Stabilität und zuverlässige Waferhandhabung für die Halbleiterfertigung.
OEM-Anpassung und technischer Support verfügbar.
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| Typ | SC‑200 |
| XY-Grad | SC‑200 |
| Material | SiC |
| Farbe | Blau Schwarz |
| Dichte | 3,15 |
| Biegefestigkeit | 1100 |
| Druckfestigkeit | 2300 |
| Elastizitätsmodul | 220 |
| Bruchzähigkeit | 7 |
| Poissonzahl | 0.3 |
| Härte | 90 |
| Vickers-Härte | 1450 |
| Thermische Ausdehnung | 4.5 |
| Wärmeleitfähigkeit | 100 |
| Thermischer Schock | 400 |
| Max. Gebrauchstemperatur (oxidierend) | 1400 |
| Max. Gebrauchstemperatur (reduzierend) | 1650 |
| Spezifischer Durchgangswiderstand (20℃) | 10⁵ |
| Dielektrizitätsfestigkeit | 0 |
| Dielektrizitätskonstante (1MHz) | — |
| Dielektrischer Verlust (tanδ) | — |


