Siliziumkarbid-Keramik-Wafer-Vakuum-Chuck | Hochpräzise SiC-Wafer-Halte-Lösungen
Siliziumkarbid-Keramik-Wafer-Vakuum-Chuck | Hochpräzisions-SiC-Wafer-Halte-Lösungen
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Siliziumkarbid-Keramik-Wafer-Vakuum-Chuck | Hochpräzise SiC-Wafer-Halte-Lösungen
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Produkteinführung

Siliziumkarbid-Keramik-Wafer-Vakuum-Chuck | Hochpräzise SiC-Wafer-Halte-Lösungen


Siliziumkarbid (SiC) Keramik-Vakuumspannvorrichtungen für die Handhabung und Verarbeitung von Wafern. Hohe Steifigkeit, thermische Stabilität und geringe Partikelerzeugung für Halbleiteranwendungen.


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Produktübersicht

Der Vakuum-Chuck aus Siliziumkarbid (SiC)-Keramikwafer ist eine hochpräzise Komponente, die für die Handhabung, Positionierung und Verarbeitung von Wafern in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Mit außergewöhnlicher Steifigkeit, thermischer Stabilität und geringer Partikelbildung gewährleisten SiC-Vakuum-Chucks eine sichere Waferfixierung und hochpräzise Verarbeitung in Reinraumumgebungen.


Hauptmerkmale

1. Hohe Steifigkeit & Festigkeit
Siliziumkarbid bietet hervorragende Steifigkeit und gewährleistet eine stabile Waferunterstützung.

2. Präzisions-Vakuumadsorption
Gleichmäßige Saugverteilung für sichere und präzise Wafer-Positionierung.

3. Ausgezeichnete thermische Stabilität
Behält die Maßgenauigkeit bei Temperaturschwankungen bei.

4. Geringe Partikelgenerierung
Ideal für kontaminationsanfällige Halbleiterprozesse.

5. Hohe Ebenheit & Oberflächengenauigkeit
Gewährleistet konsistenten Wafer-Kontakt und Prozesspräzision.


Anwendungen

  • Ausrüstung zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

  • Lithographie- und Ätzsysteme

  • CMP-Ausrüstung (chemisch-mechanische Planarisierung)

  • Waferinspektions- und Messtechnikwerkzeuge

  • Vakuumhandhabungssysteme


Technische Vorteile

  • Verbesserte Genauigkeit bei der Waferhandhabung

  • Reduzierte Vibration und Verformung

  • Stabile Leistung in Hochtemperaturumgebungen

  • Lange Lebensdauer im Hochzyklusbetrieb


Anpassungsoptionen

  • Chuck-Durchmesser und -Dicke

  • Vakuumlochmuster-Design

  • Kontrolle der Oberflächenebene und Rauheit

  • Integration mit Ausrüstungssystemen

  • OEM-Produktion nach Zeichnung


Lokalisierter Titel (US)

SiC-Keramik-Vakuum-Chucks für Wafer | Präzisions-Halbleiterkomponentenlieferant in den USA

Lokalisierter Inhaltsausschnitt

Wir liefern hochpräzise Siliziumkarbid-Keramik-Vakuumwafer-Spannvorrichtungen in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere SiC-Komponenten bieten hervorragende Steifigkeit, thermische Stabilität und zuverlässige Waferhandhabung für die Halbleiterfertigung.

OEM-Anpassung und technischer Support verfügbar.


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Materialeigenschaft

Typ
SC‑200
XY-Grad
SC‑200
Material
SiC
Farbe
Blau Schwarz
Dichte
3,15
Biegefestigkeit
1100
Druckfestigkeit
2300
Elastizitätsmodul
220
Bruchzähigkeit
7
Poissonzahl
0.3
Härte
90
Vickers-Härte
1450
Thermische Ausdehnung
4.5
Wärmeleitfähigkeit
100
Thermischer Schock
400
Max. Gebrauchstemperatur (oxidierend)
1400
Max. Gebrauchstemperatur (reduzierend)
1650
Spezifischer Durchgangswiderstand (20℃)
10⁵
Dielektrizitätsfestigkeit
0
Dielektrizitätskonstante (1MHz)

Dielektrischer Verlust (tanδ)

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