Brazo de manipulación de obleas de cerámica de alúmina de alta pureza diseñado para la fabricación de semiconductores. Excelente estabilidad térmica, resistencia al desgaste y transferencia de obleas libre de contaminación. Soluciones personalizadas disponibles.
palabra clave principal: brazo de manipulación de obleas de cerámica de alúmina
palabras clave secundarias:
brazo de transferencia de obleas de cerámica
Brazo robótico para manipulación de obleas semiconductoras
componentes de alúmina de alta pureza
efector final de manipulación de obleas
brazo de cerámica de precisión para semiconductores
Descripción General del Producto
El Brazo robótico de cerámica de alúmina para manipulación de obleas es un componente de alto rendimiento diseñado para la transferencia de obleas de precisión en entornos de fabricación de semiconductores. Fabricado con alúmina de alta pureza (Al₂O₃), ofrece una resistencia mecánica excepcional, estabilidad térmica y generación ultra baja de partículas, garantizando la manipulación libre de contaminación de obleas delicadas.
Características principales
1. Material de Alta Pureza (≥ 99% Al₂O₃)
Garantiza una excelente resistencia química y previene la contaminación durante los procesos de manipulación de obleas.
2. Resistencia superior al desgaste
Extiende la vida útil incluso bajo operación automatizada continua.
3. Excelente Estabilidad Térmica
Mantiene la integridad estructural en entornos de procesamiento a alta temperatura.
4. Generación ultra baja de partículas
Ideal para aplicaciones de sala limpia en fábricas de semiconductores.
5. Mecanizado de precisión
Tolerancias ajustadas y acabado superficial liso para una transferencia de obleas segura y precisa.
Aplicaciones
Sistemas de manipulación de obleas de semiconductores
Robots de transferencia de obleas
Equipo de procesamiento de vacío
Sistemas de automatización de salas limpias
Ventajas técnicas
Material no metálico y no magnético
Alta rigidez dieléctrica
Resistencia a la corrosión en entornos agresivos
Compatible con entornos de vacío y plasma
Opciones de Personalización
Proporcionamos soluciones personalizadas basadas en sus requisitos específicos:
Dimensiones y geometría
Acabado superficial (pulido, recubrimiento)
Interfaces de montaje
Integración con sistemas robóticos
Título Localizado (EE. UU.)
Proveedor de brazos robóticos de cerámica de alúmina para manipulación de obleas en EE. UU. | Componentes de precisión para semiconductores
Fragmento de Contenido Localizado
Suministramos brazos de manipulación de obleas de cerámica de alúmina de alta calidad a fabricantes de semiconductores en todos los Estados Unidos, incluyendo California, Texas y Arizona. Nuestros productos cumplen con los estrictos requisitos de las fábricas de semiconductores avanzadas, garantizando fiabilidad, precisión y rendimiento a largo plazo.
Envío internacional rápido y soporte de ingeniería disponible para clientes de EE. UU.
🔹 CTA (Llamada a la Acción)
Solicite una cotización hoy
Obtener Soporte de Diseño Personalizado
Contacte a Nuestro Equipo de Ingeniería
| Tipo | Unidad | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Color | - | Marfil blanco | Blanco | Blanco marfil | Blanco |
| Densidad | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Resistencia a la Flexión | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Resistencia a la compresión | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Módulos de Elasticidad | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacidad a la fractura | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Coeficiente de Poisson | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureza | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureza Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansión Térmica | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Conductividad Térmica | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choque Térmico | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. Máx. Uso (Oxidante) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Máx. de Uso (Reductora) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Resistividad volumétrica (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Rigidez dieléctrica | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Constante dieléctrica (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Pérdida dieléctrica (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
