Plato de vacío para obleas de cerámica de carburo de silicio | Soluciones de sujeción de obleas de SiC de alta precisión
Platillos de vacío cerámicos de carburo de silicio (SiC) para manipulación y procesamiento de obleas. Alta rigidez, estabilidad térmica y baja generación de partículas para aplicaciones de semiconductores.
Plato de sujeción de obleas de carburo de silicio
portabrocas de vacío de cerámica SiC
placa de succión de vacío para obleas
cerámica para platillos de obleas semiconductoras
Plato de sujeción de obleas de alta precisión
portabrocas de vacío de carburo de silicio para semiconductores
Descripción General del Producto
El chuck de vacío de cerámica de carburo de silicio (SiC) es un componente de alta precisión diseñado para el manejo, posicionamiento y procesamiento de obleas en la fabricación de semiconductores. Con una excepcional rigidez, estabilidad térmica y baja generación de partículas, los chucks de vacío de SiC aseguran una fijación segura de las obleas y un procesamiento de alta precisión en entornos de sala limpia.
Características Principales
1. Alta Rigidez y Resistencia
El carburo de silicio proporciona una excelente rigidez, asegurando un soporte estable de la oblea.
2. Adsorción de Vacío de Precisión
Distribución uniforme de la succión para un posicionamiento seguro y preciso de la oblea.
3. Excelente estabilidad térmica
Mantiene la precisión dimensional bajo variación de temperatura.
4. Baja generación de partículas
Ideal para procesos semiconductores sensibles a la contaminación.
5. Alta planitud y precisión superficial
Garantiza un contacto constante de la oblea y precisión en el procesamiento.
Aplicaciones
Equipos de procesamiento de obleas semiconductoras
Sistemas de litografía y grabado
equipos CMP (Planarización Químico-Mecánica)
Herramientas de inspección y metrología de obleas
Sistemas de manipulación por vacío
Ventajas Técnicas
Precisión mejorada en la manipulación de obleas
Vibración y deformación reducidas
Rendimiento estable en entornos de alta temperatura
Larga vida útil bajo operación de alto ciclo
Opciones de Personalización
Diámetro y grosor del plato
Diseño del patrón de orificios de vacío
Control de planitud y rugosidad de la superficie
Integración con sistemas de equipos
Producción OEM basada en dibujos
Título Localizado (EE. UU.)
Portabrocas de Vacío de Carburo de Silicio para Obleas | Proveedor de Componentes de Precisión para Semiconductores en EE. UU.
Fragmento de Contenido Localizado
Suministramos platillos de vacío cerámicos de carburo de silicio de alta precisión en todos los Estados Unidos. Nuestros componentes de SiC proporcionan una excelente rigidez, estabilidad térmica y manipulación fiable de obleas para la fabricación de semiconductores.
Personalización OEM y soporte de ingeniería disponibles.
🔹 CTA
Solicite una Cotización Personalizada de Platillo para Obleas
Enviar las especificaciones de su oblea
Contacte a Nuestro Equipo de Ingeniería
| Tipo | SC‑200 |
| Grado XY | SC‑200 |
| Material | SiC |
| Color | Azul Negro |
| Densidad | 3.15 |
| Resistencia a la Flexión | 1100 |
| Resistencia a la compresión | 2300 |
| Módulos de Elasticidad | 220 |
| Tenacidad a la fractura | 7 |
| Coeficiente de Poisson | 0.3 |
| Dureza | 90 |
| Dureza Vickers | 1450 |
| Expansión Térmica | 4.5 |
| Conductividad térmica | 100 |
| Choque Térmico | 400 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | 1400 |
| Temp. Máx. de Uso (Reductora) | 1650 |
| Resistividad de Volumen (20℃) | 10⁵ |
| Resistencia Dielectrica | 0 |
| Constante Dielectrica (1MHz) | — |
| Pérdida dieléctrica (tanδ) | — |


