Porta-oblea de vacío de cerámica de carburo de silicio | Soluciones de sujeción de obleas de SiC de alta precisión
Porta-oblea de vacío de cerámica de carburo de silicio | Soluciones de sujeción de obleas de SiC de alta precisión
Placa de Cerámica de Carburo de Silicio para Chuck de Vacío | Soluciones de Sujeción de Placas de SiC de Alta Precisión
Porta-oblea de vacío de cerámica de carburo de silicio | Soluciones de sujeción de obleas de SiC de alta precisión
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Placa de Cerámica de Carburo de Silicio para Chuck de Vacío | Soluciones de Sujeción de Placas de SiC de Alta Precisión
Personalización:
Disponible
Términos de Pago:
LC, T/T
OEM/ODM:
disponible
Especificación:
Detalles del producto
Adjuntos
FAQ
Detalles esenciales
Envío:快递
número de especificación:SN0010052
Introducción del producto

Plato de vacío de cerámica de carburo de silicio para obleas | Soluciones de sujeción de obleas de SiC de alta precisión


Platillos de vacío cerámicos de carburo de silicio (SiC) para manipulación y procesamiento de obleas. Alta rigidez, estabilidad térmica y baja generación de partículas para aplicaciones de semiconductores.


  • Plato de sujeción de obleas de carburo de silicio

  • chuck al vacío de cerámica de SiC

  • placa de succión al vacío de obleas

  • cerámica para platillos de obleas semiconductoras

  • Plato de sujeción de obleas de alta precisión

  • chuck al vacío de SiC para semiconductores


Descripción del Producto

El chuck de vacío de cerámica de carburo de silicio (SiC) es un componente de alta precisión diseñado para el manejo, posicionamiento y procesamiento de obleas en la fabricación de semiconductores. Con una rigidez excepcional, estabilidad térmica y baja generación de partículas, los chucks de vacío de SiC aseguran una fijación segura de las obleas y un procesamiento de alta precisión en entornos de sala limpia.


Características Clave

1. Alta Rigidez y Resistencia
El carburo de silicio proporciona una excelente rigidez, asegurando un soporte estable de la oblea.

2. Adsorción de Vacío de Precisión
Distribución uniforme de la succión para un posicionamiento seguro y preciso de la oblea.

3. Excelente estabilidad térmica
Mantiene la precisión dimensional bajo variación de temperatura.

4. Baja generación de partículas
Ideal para procesos de semiconductores sensibles a la contaminación.

5. Alta planitud y precisión superficial
Garantiza un contacto constante de la oblea y precisión en el procesamiento.


Aplicaciones

  • Equipos de procesamiento de obleas semiconductoras

  • Sistemas de litografía y grabado

  • Equipo CMP (Planarización Química Mecánica)

  • Herramientas de inspección y metrología de obleas

  • Sistemas de manipulación por vacío


Ventajas técnicas

  • Precisión mejorada en la manipulación de obleas

  • Vibración y deformación reducidas

  • Rendimiento estable en entornos de alta temperatura

  • Larga vida útil bajo operación de alto ciclo


Opciones de personalización

  • Diámetro y grosor del plato

  • Diseño del patrón de orificios de vacío

  • Control de planitud y rugosidad de la superficie

  • Integración con sistemas de equipos

  • Producción OEM basada en dibujos


Título localizado (EE. UU.)

Chuck de Vacío de Obleas de Carburo de Silicio | Proveedor de Componentes Semiconductores de Precisión en EE. UU.

Fragmento de Contenido Localizado

Suministramos platillos de vacío cerámicos de carburo de silicio de alta precisión en todos los Estados Unidos. Nuestros componentes de SiC proporcionan una excelente rigidez, estabilidad térmica y manipulación fiable de obleas para la fabricación de semiconductores.

Personalización OEM y soporte de ingeniería disponibles.


🔹 Llamada a la acción

  • Solicite una cotización de platillo de oblea personalizado

  • Enviar las especificaciones de su oblea

  • Contacte a nuestro equipo de ingeniería



Característica del material

Tipo
SC‑200
Grado XY
SC‑200
Material
SiC
Color
Blue Black
Densidad
3.15
Resistencia a la Flexión
1100
Resistencia a la compresión
2300
Módulos de Elasticidad
220
Tenacidad a la fractura
7
Relación de Poisson
0.3
Dureza
90
Dureza Vickers
1450
Expansión Térmica
4.5
Conductividad térmica
100
Choque Térmico
400
Temperatura máxima de uso (oxidante)
1400
Temp. Máx de Uso (Reducción)
1650
Resistividad de Volumen (20℃)
10⁵
Resistencia Dielectrica
0
Constante Dielectrica (1MHz)

Pérdida dieléctrica (tanδ)

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