Pièces en céramique d'alumine pour équipement d'implantation ionique | Composants semi-conducteurs de haute pureté
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Pièces en céramique d'alumine pour équipement d'implantation ionique | Composants semi-conducteurs de haute pureté
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Disponible
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LC, T/T
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disponible
Détails du produit
Pièces jointes
FAQ
Détails essentiels
Expédition:快递
numéro de spécification:SN001Al2O3017
Introduction du produit

Pièces en céramique d'alumine pour équipements d'implantation ionique | Composants semi-conducteurs de haute pureté


Pièces en céramique d'alumine de haute pureté pour équipements d'implantation ionique. Excellente isolation électrique, stabilité thermique et résistance au plasma pour les environnements de fabrication de semi-conducteurs.


  • pièces en céramique d'alumine pour implantation ionique

  • composants céramiques pour semi-conducteurs

  • pièces céramiques pour implantations ioniques

  • pièces en alumine de haute pureté pour semi-conducteurs

  • composants céramiques pour systèmes sous vide

  • pièces en céramique résistantes au plasma


Présentation du produit

Les pièces en céramique d'alumine pour équipements d'implantation ionique sont des composants de précision conçus pour les systèmes de fabrication de semi-conducteurs. Fabriquées à partir d'alumine de haute pureté (Al₂O₃), ces pièces offrent une excellente isolation électrique, une stabilité thermique et une résistance aux environnements plasma et sous vide, garantissant des performances fiables dans les processus de semi-conducteurs avancés.


Caractéristiques principales

1. Alumine de haute pureté (≥99%)
Minimise la contamination et répond aux normes de propreté strictes des semi-conducteurs.

2. Excellente Isolation Électrique
Supporte un fonctionnement stable dans les systèmes d'implantation ionique haute tension.

3. Compatibilité plasma et vide
Résistant à l'exposition au plasma et adapté aux environnements ultra-vide.

4. Stabilité thermique
Maintient la stabilité dimensionnelle sous les fluctuations de température.

5. Faible génération de particules
Essentiel pour maintenir le rendement des plaquettes et la fiabilité du processus.


Applications

  • Systèmes d'implantation ionique

  • Équipement de traitement des plaquettes de semi-conducteurs

  • Chambres de traitement sous vide et plasma

  • Composants d'isolation haute tension

  • Outils de précision pour semi-conducteurs


Avantages techniques

  • Matériau non métallique et non magnétique

  • Haute rigidité diélectrique

  • Résistance à la corrosion dans des environnements réactifs

  • Convient aux salles blanches et aux usines de semi-conducteurs


Options de personnalisation

  • Géométries complexes pour l'intégration d'équipements

  • Usinage de haute précision et tolérances serrées

  • Finition de surface pour une faible génération de particules

  • Conceptions personnalisées basées sur les exigences des équipements à semi-conducteurs


Titre localisé (US)

Pièces en céramique d'alumine pour équipements d'implantation ionique | Fournisseur de semi-conducteurs aux États-Unis

Extrait de contenu localisé

Nous fournissons des composants en céramique d'alumine de haute pureté pour les systèmes d'implantation ionique aux fabricants de semi-conducteurs aux États-Unis. Nos pièces sont conçues pour la compatibilité sous vide, la résistance au plasma et les performances de précision dans les environnements de traitement de plaquettes avancés.

Support technique et livraison mondiale disponibles.


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Tableau des caractéristiques des matériaux

Type 
Unité
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Matériau
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99.5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Couleur
-
Ivoire blancBlanc
Blanc Ivoire
Blanc
Densité
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
Résistance à la flexion
MPa
280
320
370
480
Résistance à la compression
MPa
2250
2300
2450
2700
Module d'élasticité
GPa
330
370
380
350
Résistance à la fracture
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
Coefficient de Poisson

0.23
0.22
0.22
0.24
Dureté
HRA
90
91
91
91
Dureté Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Dilatation thermique
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
Conductivité thermique
W/m·K
25
32
32
8
Choc thermique
ΔT·℃
200
220
220
470
Temp. max. d'utilisation (oxydante)

1200
1400
1650
1000
Température Max d'Utilisation (Réductrice)

1200
1400
1700
1000
Résistivité volumique (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Résistance diélectrique
kV/mm
16
20
22
16.5
Constante Diélectrique (1MHz)
-11.5111011
Perte diélectrique (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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