Mandrin à vide pour plaquettes en carbure de silicium | Solutions de maintien de plaquettes SiC de haute précision
Mandrins à vide en céramique de carbure de silicium (SiC) pour la manipulation et le traitement des plaquettes. Rigidité élevée, stabilité thermique et faible génération de particules pour les applications de semi-conducteurs.
mandrin de plaquette en carbure de silicium
mandrin sous vide en céramique SiC
plaque de succion sous vide pour wafer
Céramique pour mandrins de plaquettes de semi-conducteurs
mandrin de maintien de plaquettes de haute précision
mandrin sous vide en SiC pour semi-conducteurs
Aperçu du produit
Le mandrin à vide en céramique en carbure de silicium (SiC) est un composant de haute précision conçu pour la manipulation, le positionnement et le traitement des plaquettes dans la fabrication de semi-conducteurs. Avec une rigidité exceptionnelle, une stabilité thermique et une faible génération de particules, les mandrins à vide en SiC garantissent une fixation sécurisée des plaquettes et un traitement de haute précision dans des environnements de salle blanche.
Caractéristiques clés
1. Haute rigidité et résistance
Le carbure de silicium offre une excellente rigidité, assurant un support stable des plaquettes.
2. Adsorption à vide de précision
Distribution uniforme de l'aspiration pour un positionnement sûr et précis de la plaquette.
3. Excellente stabilité thermique
Maintient la précision dimensionnelle sous variation de température.
4. Faible génération de particules
Idéal pour les processus de semi-conducteurs sensibles à la contamination.
5. Haute planéité et précision de surface
Assure un contact constant de la plaquette et une précision de traitement.
Applications
Équipement de traitement de plaquettes de semi-conducteurs
Systèmes de lithographie et de gravure
Équipement CMP (Planarisation chimico-mécanique)
Outils d'inspection et de métrologie des plaquettes
Systèmes de manipulation par le vide
Avantages techniques
Précision améliorée de la manipulation des plaquettes
Vibrations et déformations réduites
Performance stable dans des environnements à haute température
Longue durée de vie en fonctionnement à cycles élevés
Options de personnalisation
Diamètre et épaisseur du mandrin
Conception du motif des trous de vide
Contrôle de la planéité et de la rugosité de surface
Intégration avec les systèmes d'équipement
Production OEM basée sur des dessins
Titre localisé (US)
Mandrins sous vide en carbure de silicium | Fournisseur de composants semi-conducteurs de précision aux États-Unis
Extrait de contenu localisé
Nous fournissons des mandrins à vide en céramique de carbure de silicium de haute précision pour plaquettes à travers les États-Unis. Nos composants en SiC offrent une excellente rigidité, une stabilité thermique et une manipulation fiable des plaquettes pour la fabrication de semi-conducteurs.
Personnalisation OEM et support technique disponibles.
🔹 Appel à l'action
Demander un devis pour un mandrin de plaquette personnalisé
Soumettez les spécifications de votre plaquette
Contactez notre équipe d'ingénierie
| Type | SC‑200 |
| Grade XY | SC‑200 |
| Matériau | SiC |
| Couleur | Bleu Noir |
| Densité | 3,15 |
| Résistance à la flexion | 1100 |
| Résistance à la compression | 2300 |
| Modules d'élasticité | 220 |
| Tenacité à la fracture | 7 |
| Coefficient de Poisson | 0.3 |
| Dureté | 90 |
| Dureté Vickers | 1450 |
| Expansion thermique | 4.5 |
| Conductivité thermique | 100 |
| Choc thermique | 400 |
| Température d'utilisation max. (oxydante) | 1400 |
| Température d'utilisation max (réduction) | 1650 |
| Résistivité volumique (20℃) | 10⁵ |
| Résistance diélectrique | 0 |
| Constante diélectrique (1MHz) | — |
| Perte diélectrique (tanδ) | — |


