光ファイバー接続用ブルージルコニアセラミックV溝ブロック | 精密アライメントコンポーネント
光ファイバー接続用ブルー酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロック | 精密アライメントコンポーネント
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光ファイバー接続用ブルー酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロック | 精密アライメントコンポーネント
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光ファイバー融着接続用ブルー酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロック | 精密アライメントコンポーネント
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ディテール
配送方法:快递
規格番号:SN001Al2O3036
製品ディテール

光ファイバースプライシング用ブルー酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロック | 精密アライメントコンポーネント


ファイバーオプティックスプライシングおよびアライメント用の精密ブルー酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロック。通信および光学用途向けの高精度、耐摩耗性、寸法安定性。


  • 酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロック

  • ファイバ光学アライメントセラミックブロック

  • ブルー酸化ジルコニウム製Vブロック

  • セラミックV溝ファイバー接続

  • 精密光学セラミック部品

  • 光ファイバーセラミックアライメント部品


製品概要

ブルー酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロックは、光ファイバーのスプライシングおよびアライメント用途向けに設計された精密部品です。高性能酸化ジルコニウム(ZrO₂)から製造されたこれらのブロックは、卓越した寸法精度、耐摩耗性、および安定性を提供します。V溝構造は光ファイバーの精密な位置決めを保証し、高品質な信号伝送と信頼性の高いスプライシング性能を可能にします。


主な特徴

1. 高精度V溝構造
信号損失を最小限に抑えるための正確なファイバーアライメントを保証します。

2. ブルーゼルコニア素材
カラーカスタマイズは、識別およびアプリケーション特有の要件をサポートします。

3. 優れた耐摩耗性
繰り返し使用による溝精度の維持。

4. 高い寸法安定性
様々な条件下で一貫したアライメント性能を保証します。

5. スムーズな表面仕上げ
光ファイバーの微細損傷を低減し、接触品質を向上させます。


用途

  • 光ファイバー融着接続装置

  • 光通信システム

  • ファイバーアライメントモジュール

  • 通信およびデータ伝送機器

  • 精密光学アセンブリ


技術的利点

  • 低挿入損失のための高いアライメント精度

  • 精密光学システムにおける安定した性能

  • クリーンな環境のための非汚染材料

  • 繰り返し使用による長寿命


カスタマイズオプション

  • V溝角度と寸法

  • ブロックサイズと形状

  • 表面粗さと研磨

  • カラーカスタマイズ (ブルー酸化ジルコニウムなど)

  • 図面に基づくOEM生産


ローカライズタイトル (US)

ファイバーオプティックアライメント用酸化ジルコニウムセラミックV溝ブロック | 米国の光学部品サプライヤー

ローカライズコンテンツスニペット

私たちは、アメリカ全土でファイバー光学接続およびアライメントアプリケーション向けの高精度ゼルコニアセラミックV溝ブロックを供給しています。私たちのコンポーネントは、光学システムにおける正確な位置決め、低信号損失、および長期的な安定性を保証します。

OEMカスタマイズおよびエンジニアリングサポートをご利用いただけます。


  • カスタムV溝の見積もりをリクエストする

  • ファイバーアライメント仕様を提出する

  • エンジニアリングチームにお問い合わせください


材料特性表

タイプ
単位
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
材質
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99.5%
Al₂O₃ 99.7%
Al₂O₃‑ZrO₂

-
ホワイトアイボリーホワイト
アイボリーホワイト
ホワイト
密度
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
曲げ強度
MPa
280
320
370
480
圧縮強度
MPa
2250
2300
2450
2700
弾性率
GPa
330
370
380
350
破壊靭性
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
ポアソン比

0.23
0.22
0.22
0.24
硬度
HRA
90
91
91
91
ビッカース硬度
HV1
1450
1550
1600
1600
熱膨張
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
熱伝導率
W/m·K
25
32
32
8
熱衝撃
ΔT·℃
200
220
220
470
最高使用温度 (酸化雰囲気)

1200
1400
1650
1000
最大使用温度(還元雰囲気)

1200
1400
1700
1000
体積抵抗率 (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
絶縁破壊強度
kV/mm
16
20
22
16.5
誘電率 (1MHz)
-11.5111011
誘電正接 (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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