Tarcza ceramiczna z tlenku glinu z obróbką mikro-otworów 0,1 mm | Precyzyjnie mikro-wytrawiany Al₂O₃
Tarcza ceramiczna z tlenku glinu z obróbką mikro-otworów 0,1 mm | Precyzyjnie mikro-wytrawiany Al₂O₃
HOT
Talerz z ceramiki aluminiowej z obróbką mikro-otworu 0,1 mm | Precyzyjne elementy Al₂O₃ z mikro-wierceniem
Personalizacja:
Dostępny
Warunki Płatności:
LC, T/T
OEM/ODM:
dostępny
Szczegóły produktu
Załączniki
Najczęściej zadawane pytania
Najważniejsze szczegóły
Wysyłka:快递
numer specyfikacji:SN001Al2O3014
Wprowadzenie produktu

Ceramiczny dysk aluminiowy z obróbką mikro-otworów o średnicy 0,1 mm | Precyzyjne mikro-wiercone elementy z Al₂O₃

Precyzyjne dyski ceramiczne z tlenku glinu z obróbką mikrootworów o średnicy 0,1 mm. Zaawansowane możliwości wiercenia, ścisłe tolerancje i doskonała wydajność w zastosowaniach płynnych, gazowych i przemysłowych.


  • dysk ceramiczny z tlenku glinu

  • ceramic disc with micro hole

  • 0.1mm ceramic micro drilling

  • precyzyjna obróbka ceramiki

  • Mikro-wiercony element z Al2O3

  • niestandardowy dysk ceramiczny


Product Overview

Ceramiczny dysk aluminiowy z obróbką mikro-otworów o średnicy 0,1 mm to precyzyjnie zaprojektowany element przeznaczony do zastosowań wymagających ultra-małych apertur i wysokiej dokładności wymiarowej. Wykonany z wysokiej czystości tlenku glinu (Al₂O₃), łączy doskonałą twardość, stabilność termiczną i odporność na zużycie z zaawansowaną technologią mikro-wiercenia.


Key Features

1. Możliwość wykonania otworów mikro o średnicy 0.1 mm
Zaawansowane procesy obróbki skrawaniem umożliwiają stabilną i dokładną produkcję mikrootworów.

2. Materiał o wysokiej czystości tlenku glinu
Zapewnia doskonałą wytrzymałość mechaniczną, izolację elektryczną i odporność chemiczną.

3. Ścisłe tolerancje wymiarowe
Zapewnia spójną średnicę otworu, pozycjonowanie i powtarzalność.

4. Doskonała odporność na zużycie
Utrzymuje integralność strukturalną podczas ciągłej pracy.

5. Gładkie wykończenie powierzchni
Reduces flow resistance and improves performance in precision systems.


Applications

  • Precision fluid control systems

  • Sprzęt do mikro dozowania

  • Urządzenia do produkcji półprzewodników

  • Elementy filtracyjne do gazów lub cieczy

  • Urządzenia mikrofluidyczne i analityczne


Technical Advantages

  • Stable micro-drilling on brittle ceramic materials

  • Wysoka powtarzalność w produkcji seryjnej

  • Odporny na wysokie temperatury i korozyjne środowiska

  • Nadaje się do zastosowań w pomieszczeniach czystych i wysokiej czystości


Opcje dostosowywania

  • Średnica mikrootworu (w tym 0,1 mm i mniejsze w zależności od projektu)

  • Średnica i grubość dysku

  • Układ i wzór rozmieszczenia otworów

  • Wykańczanie powierzchni (docieranie / polerowanie)

  • Konfiguracje z jednym lub wieloma otworami


Tytuł lokalny (USA)

Dysk ceramiczny z tlenku glinu z obróbką otworów mikro o średnicy 0.1 mm w USA | Precyzyjne części Al₂O₃

Localized Content Snippet

We provide high-precision alumina ceramic discs with micro hole machining to industrial clients in the United States. Our advanced manufacturing capabilities enable 0.1mm micro drilling with tight tolerances, suitable for semiconductor, fluid control, and precision engineering applications.


Tabela charakterystyk materiałowych

Typ
Jednostka
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Materiał
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Kolor
-
Biała kość słoniowaBiały
Biały kość słoniowa
Biały
Gęstość
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
Wytrzymałość na zginanie
MPa
280
320
370
480
Compressive Strength
MPa
2250
2300
2450
2700
Moduł sprężystości
GPa
330
370
380
350
Udarność
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
Współczynnik Poissona

0.23
0.22
0.22
0.24
Twardość
HRA
90
91
91
91
Twardość Vickersa
HV1
1450
1550
1600
1600
Thermal Expansion
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
Przewodność cieplna
W/m·K
25
32
32
8
Szok termiczny
ΔT·℃
200
220
220
470
Maksymalna temperatura użytkowania (utleniająca)

1200
1400
1650
1000
Max Use Temp(Reducing)

1200
1400
1700
1000
Rezystywność objętościowa (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Wytrzymałość dielektryczna
kV/mm
16
20
22
16.5
Stała dielektryczna (1MHz)
-11.5111011
Straty dielektryczne (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

Telefon
WhatsApp
E-mail