Peças de Cerâmica de Alumina para Equipamentos de Implantação Iônica | Componentes Semicondutores de Alta Pureza
Peças de cerâmica de alumina de alta pureza para equipamentos de implantação iônica. Excelente isolamento elétrico, estabilidade térmica e resistência ao plasma para ambientes de fabricação de semicondutores.
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Visão Geral do Produto
Peças de cerâmica de alumina para equipamentos de implantação iônica são componentes de engenharia de precisão usados em sistemas de fabricação de semicondutores. Feitos de alumina de alta pureza (Al₂O₃), esses componentes oferecem excelente isolamento elétrico, estabilidade térmica e resistência a ambientes de plasma e vácuo, garantindo desempenho confiável em processos avançados de semicondutores.
Principais Características
1. Alumina de Alta Pureza (≥99%)
Minimiza a contaminação e atende a padrões rigorosos de limpeza de semicondutores.
2. Excelente Isolamento Elétrico
Suporta operação estável em sistemas de implantação iônica de alta tensão.
3. Compatibilidade com Plasma e Vácuo
Resistente à exposição a plasma e adequado para ambientes de vácuo ultra-alto.
4. Estabilidade Térmica
Mantém a estabilidade dimensional sob flutuações de temperatura.
5. Baixa Geração de Partículas
Crítico para manter o rendimento do wafer e a confiabilidade do processo.
Aplicações
sistemas de implantação de íons
Equipamentos de processamento de wafers de semicondutores
Câmaras de processamento a vácuo e plasma
Componentes de isolamento de alta tensão
Ferramentas de precisão para semicondutores
Vantagens Técnicas
Material não metálico e não magnético
Alta rigidez dielétrica
resistência à corrosão em ambientes reativos
Adequado para salas limpas e fábricas de semicondutores
Opções de Personalização
Geometrias complexas para integração de equipamentos
Usinagem de alta precisão e tolerâncias apertadas
Acabamento de superfície para baixa geração de partículas
Projetos personalizados baseados nos requisitos de equipamentos semicondutores
Título Localizado (EUA)
Peças de Cerâmica de Alumina para Equipamentos de Implantação Iônica | Fornecedor Semicondutor dos EUA
Fragmento de Conteúdo Localizado
Fornecemos componentes cerâmicos de alumina de alta pureza para sistemas de implantação iônica para fabricantes de semicondutores em todos os Estados Unidos. Nossas peças são projetadas para compatibilidade com vácuo, resistência a plasma e desempenho de precisão em ambientes avançados de processamento de wafers.
Suporte de engenharia e entrega global disponíveis.
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| Tipo | Unidade | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Cor | - | Marfim branco | Branco | Branco Marfim | Branco |
| Densidade | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Resistência à Flexão | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Resistência à Compressão | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Módulo de Elasticidade | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacidade à Fratura | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Razão de Poisson | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureza | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureza Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansão Térmica | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Condutividade Térmica | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choque Térmico | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Máx. de Uso (Redução) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Resistividade Volumétrica (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Rigidez Dielétrica | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Constante Dielétrica (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Perda Die elétrica (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
