Mandril a Vácuo para Wafer de Carboneto de Silício | Soluções de Fixação de Wafer de SiC de Alta Precisão
Platôs de vácuo de cerâmica de carboneto de silício (SiC) para manuseio e processamento de wafers. Alta rigidez, estabilidade térmica e baixa geração de partículas para aplicações em semicondutores.
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Visão Geral do Produto
O mandril a vácuo de wafer de cerâmica de carboneto de silício (SiC) é um componente de alta precisão projetado para manuseio, posicionamento e processamento de wafers na fabricação de semicondutores. Com rigidez excepcional, estabilidade térmica e baixa geração de partículas, os mandris a vácuo de SiC garantem fixação segura do wafer e processamento de alta precisão em ambientes de sala limpa.
Principais Características
1. Alta Rigidez e Resistência
O carboneto de silício oferece excelente rigidez, garantindo suporte estável para o wafer.
2. Adsorção a Vácuo de Precisão
Distribuição uniforme de sucção para posicionamento seguro e preciso do wafer.
3. Excelente Estabilidade Térmica
Mantém a precisão dimensional sob variação de temperatura.
4. Baixa Geração de Partículas
Ideal para processos de semicondutores sensíveis à contaminação.
5. Alta Planicidade e Precisão de Superfície
Garante contato consistente do wafer e precisão de processamento.
Aplicações
Equipamentos de processamento de wafer de semicondutor
Sistemas de litografia e gravação
equipamento CMP (Planarização Químico-Mecânica)
Ferramentas de inspeção e metrologia de wafers
Sistemas de manuseio a vácuo
Vantagens Técnicas
Precisão aprimorada no manuseio de wafers
Vibração e deformação reduzidas
Desempenho estável em ambientes de alta temperatura
Longa vida útil sob operação de alto ciclo
Opções de Personalização
Diâmetro e espessura do mandril
Design do padrão de furos a vácuo
Controle de planicidade e rugosidade da superfície
Integração com sistemas de equipamentos
Produção OEM baseada em desenhos
Título Localizado (EUA)
Mandris de Vácuo de Carboneto de Silício para Wafer | Fornecedor de Componentes de Precisão para Semicondutores nos EUA
Fragmento de Conteúdo Localizado
Fornecemos platôs de vácuo de cerâmica de carboneto de silício de alta precisão para wafers em todos os Estados Unidos. Nossos componentes de SiC oferecem excelente rigidez, estabilidade térmica e manuseio confiável de wafers para a fabricação de semicondutores.
Personalização OEM e suporte de engenharia disponíveis.
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| Tipo | SC‑200 |
| Grau XY | SC‑200 |
| Material | SiC |
| Cor | Azul Preto |
| Densidade | 3.15 |
| Resistência à Flexão | 1100 |
| Resistência à Compressão | 2300 |
| Módulos de Elasticidade | 220 |
| Tenacidade à Fratura | 7 |
| Coeficiente de Poisson | 0.3 |
| Dureza | 90 |
| Dureza Vickers | 1450 |
| Expansão Térmica | 4.5 |
| Condutividade Térmica | 100 |
| Choque Térmico | 400 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | 1400 |
| Temp. Máx. de Uso (Redução) | 1650 |
| Resistividade Volumétrica (20℃) | 10⁵ |
| Resistência Dielétrica | 0 |
| Constante Dielétrica (1MHz) | — |
| Perda Dielétrica (tanδ) | — |


