Mandril a Vácuo para Bolacha de Cerâmica de Carboneto de Silício | Soluções de Fixação de Bolachas de SiC de Alta Precisão
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Placa de Carboneto de Silício para Mandril a Vácuo | Soluções de Alta Precisão para Fixação de Placas de SiC
Personalização:
Disponível
Termos de Pagamento:
LC, T/T
OEM/ODM:
disponível
Especificação:
Detalhes do Produto
Anexos
FAQ
Detalhes essenciais
Envio:Entrega expressa
número da especificação:SN0010052
Introdução do Produto

Mandril a Vácuo para Wafer de Carboneto de Silício | Soluções de Fixação de Wafer de SiC de Alta Precisão


Platôs de vácuo em cerâmica de carboneto de silício (SiC) para manuseio e processamento de wafers. Alta rigidez, estabilidade térmica e baixa geração de partículas para aplicações em semicondutores.


  • mandril de wafer de carboneto de silício

  • chuck a vácuo de cerâmica de SiC

  • placa de sucção a vácuo de wafer

  • cerâmica para platô de wafer de semicondutor

  • mandril de fixação de wafer de alta precisão

  • chuck a vácuo de SiC para semicondutores


Visão Geral do Produto

O mandril de vácuo de cerâmica de carbeto de silício (SiC) é um componente de alta precisão projetado para manuseio, posicionamento e processamento de wafers na fabricação de semicondutores. Com excepcional rigidez, estabilidade térmica e baixa geração de partículas, os mandris de vácuo SiC garantem fixação segura do wafer e processamento de alta precisão em ambientes de sala limpa.


Principais Características

1. Alta Rigidez e Resistência
O carboneto de silício oferece excelente rigidez, garantindo suporte estável para o wafer.

2. Adsorção de Vácuo de Precisão
Distribuição uniforme de sucção para posicionamento seguro e preciso do wafer.

3. Excelente Estabilidade Térmica
Mantém a precisão dimensional sob variação de temperatura.

4. Baixa Geração de Partículas
Ideal para processos de semicondutores sensíveis à contaminação.

5. Alta Planicidade e Precisão de Superfície
Garante contato consistente do wafer e precisão de processamento.


Aplicações

  • Equipamentos de processamento de wafer de semicondutor

  • Sistemas de litografia e gravação

  • Equipamento CMP (Planarização Química Mecânica)

  • Ferramentas de inspeção e metrologia de wafers

  • Sistemas de manuseio a vácuo


Vantagens Técnicas

  • Precisão aprimorada no manuseio de wafers

  • Vibração e deformação reduzidas

  • Desempenho estável em ambientes de alta temperatura

  • Longa vida útil sob operação de alta ciclagem


Opções de Personalização

  • Diâmetro e espessura do mandril

  • Design do padrão de furos a vácuo

  • Controle de planicidade e rugosidade da superfície

  • Integração com sistemas de equipamentos

  • Produção OEM baseada em desenhos


Título Localizado (EUA)

Chucks a Vácuo de Wafer de Carbeto de Silício | Fornecedor de Componentes Semicondutores de Precisão nos EUA

Trecho de Conteúdo Localizado

Fornecemos platôs de vácuo em cerâmica de carboneto de silício de alta precisão para manuseio de wafers em todos os Estados Unidos. Nossos componentes de SiC oferecem excelente rigidez, estabilidade térmica e manuseio confiável de wafers para a fabricação de semicondutores.

Personalização OEM e suporte de engenharia disponíveis.


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Característica do material

Tipo
SC‑200
Grau XY
SC‑200
Material
SiC
Cor
Blue Black
Densidade
3.15
Resistência à Flexão
1100
Resistência à Compressão
2300
Módulos de Elasticidade
220
Tenacidade à Fratura
7
Razão de Poisson
0.3
Dureza
90
Dureza Vickers
1450
Expansão Térmica
4.5
Condutividade Térmica
100
Choque Térmico
400
Temp. Máx. de Uso (Oxidante)
1400
Temperatura Máxima de Uso (Redução)
1650
Resistividade de Volume (20℃)
10⁵
Resistência Die elétrica
0
Constante Die elétrica (1MHz)

Perda Dielétrica (tanδ)

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