Высокочистый керамический держатель пластин из оксида алюминия, разработанный для производства полупроводников. Превосходная термическая стабильность, износостойкость и бесконтактная передача пластин. Доступны индивидуальные решения.
основное ключевое слово: манипулятор для обработки пластин из оксида алюминия
второстепенные ключевые слова:
керамический захват для транспортировки пластин
Роботизированная рука для обработки полупроводниковых пластин
компоненты из высокочистого оксида алюминия
захват для транспортировки пластин
прецизионный керамический захват для полупроводников
Обзор продукта
The Роботизированная рука для обработки пластин из оксида алюминия — это высокопроизводительный компонент, разработанный для точной передачи пластин в условиях производства полупроводников. Изготовленный из высокочистого оксида алюминия (Al₂O₃), он обладает исключительной механической прочностью, термической стабильностью и сверхнизким уровнем образования частиц, обеспечивая бесконтактную обработку хрупких пластин.
Ключевые особенности
1. Высокочистый материал (≥ 99% Al₂O₃)
Обеспечивает превосходную химическую стойкость и предотвращает загрязнение во время процессов обработки пластин.
2. Превосходная износостойкость
Продлевает срок службы даже при непрерывной автоматизированной работе.
3. Отличная термическая стабильность
Сохраняет структурную целостность в условиях высокотемпературной обработки.
4. Сверхнизкое образование частиц
Идеально подходит для применения в чистых помещениях на полупроводниковых фабриках.
5. Прецизионная обработка
Строгие допуски и гладкая обработка поверхности для безопасной и точной передачи пластин.
Применение
Системы транспортировки полупроводниковых пластин
Роботы для переноса пластин
Оборудование для вакуумной обработки
Системы автоматизации чистых помещений
Технические преимущества
Неметаллический, немагнитный материал
Высокая диэлектрическая прочность
Коррозионная стойкость в агрессивных средах
Совместимость с вакуумными и плазменными средами
Параметры настройки
Мы предлагаем индивидуальные решения, основанные на ваших конкретных требованиях:
Размеры и геометрия
Финишная обработка поверхности (полировка, покрытие)
Монтажные интерфейсы
Интеграция с роботизированными системами
Локальное название (США)
Поставщик роботизированных рук для обработки пластин из оксида алюминия в США | Прецизионные компоненты для полупроводников
Локализованный фрагмент контента
Мы поставляем высококачественные керамические захваты для транспортировки пластин из оксида алюминия производителям полупроводников по всей территории США, включая Калифорнию, Техас и Аризону. Наша продукция соответствует строгим требованиям передовых полупроводниковых фабрик, обеспечивая надежность, точность и долгосрочную производительность.
Быстрая международная доставка и инженерная поддержка для клиентов из США.
🔹 CTA (Призыв к действию)
Запросить предложение сегодня
Получить поддержку по индивидуальному дизайну
Свяжитесь с нашей командой инженеров
| Тип | Единица | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Материал | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Цвет | - | Белый слоновой кости | Белый | Слоновая кость белая | Белый |
| Плотность | г/см³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Предел прочности на изгиб | МПа | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Прочность на сжатие | МПа | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Модули упругости | ГПа | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Трещиностойкость | МПа·м^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Коэффициент Пуассона | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Твердость | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Твердость по Виккерсу | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Термическое расширение | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Теплопроводность | Вт/(м·К) | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Термический удар | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Макс. рабочая темп. (окислительная) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Макс. рабочая темп. (восст.) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Удельное объемное сопротивление (20℃) | Ом·см | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Диэлектрическая прочность | кВ/мм | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Диэлектрическая проницаемость (1 МГц) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Диэлектрические потери (tanδ) | 1МГц | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |