Пористый керамический вакуумный патрон из оксида алюминия для CMP | Высокочистое решение для удержания пластин
Пористый керамический вакуумный патрон из оксида алюминия для CMP | Высокочистое решение для удержания пластин
HOT
Пористый алюмооксидный керамический вакуумный патрон для CMP | Высокочистое решение для удержания пластин
Индивидуальная настройка:
Доступно
Условия оплаты:
LC, T/T
OEM/ODM:
доступно
Детали продукта
Вложения
FAQ
Необходимые детали
Доставка:快递
номер спецификации:SN001Al2O3006
Введение в продукт

Пористый алюминиевый керамический вакуумный патрон для CMP | Высокочистое решение для удержания пластин


Высокопористый керамический вакуумный держатель пластины из оксида алюминия для процессов CMP. Равномерное всасывание, низкое загрязнение и превосходная плоскостность для прецизионных применений полировки пластин.


🔹 Основные ключевые слова

  • основное ключевое слово: пористый алюминиевый керамический вакуумный патрон

  • вторичные ключевые слова:

    • Вакуумный патрон для CMP

    • керамический вакуумный держатель пластины

    • пористый керамический патрон для полировки пластин

    • высокочистая алюминиевая вакуумная пластина

    • держатель полупроводниковой пластины


Обзор продукта

Пористый алюминиевый керамический вакуумный патрон для CMP — это прецизионно разработанный компонент, предназначенный для фиксации пластин во время процессов химико-механической планаризации (CMP). Изготовленный из высокочистого пористого оксида алюминия (Al₂O₃), он обеспечивает равномерное распределение вакуума, превосходную плоскостность и сверхнизкое загрязнение, гарантируя стабильную и точную полировку пластин.


Ключевые особенности

1. Высокочистый оксид алюминия (≥ 99%)
Минимизирует риск загрязнения в средах производства полупроводников.

2. Однородная пористая структура
Обеспечивает равномерное распределение вакуума для стабильного удержания пластины и повышения стабильности полировки.

3. Плоскостность и точность поверхности
Обеспечивает точное позиционирование пластины и равномерное удаление материала во время CMP.

4. Низкое образование частиц
Критически важно для поддержания выхода продукции в передовых полупроводниковых процессах.

5. Химическая стойкость
Устойчив к суспензиям CMP и агрессивным химикатам.


Применение

  • Процессы CMP (химико-механическая планаризация)

  • Системы полировки пластин

  • Оборудование для производства полупроводников

  • Точное позиционирование и фиксация пластин


Технические преимущества

  • Контролируемая пористость для оптимизированной вакуумной производительности

  • Высокая механическая прочность, несмотря на пористую структуру

  • Термическая стабильность в условиях процесса

  • Совместим с ультрачистыми и вакуумными средами


Варианты индивидуальной настройки

Мы предлагаем полностью индивидуальные вакуумные патроны для CMP:

  • Размер пор и контроль пористости

  • Диаметр и толщина

  • Спецификации плоскостности поверхности

  • Конструкция вакуумных каналов

  • Интеграция с оборудованием CMP


Локализованное название (США)

Поставщик пористых алюминиевых вакуумных патронов для CMP в США | Решения для полупроводниковых пластин

Локализованный фрагмент контента

Мы поставляем высокоточные керамические вакуумные патроны из пористого оксида алюминия для применений CMP производителям полупроводников по всей территории Соединенных Штатов. Разработанные для передовой обработки пластин, наши продукты обеспечивают равномерное всасывание, низкое загрязнение и высокую надежность.

Доступна инженерная поддержка и быстрая глобальная доставка.


🔹 CTA

  • Запросить коммерческое предложение на вакуумный патрон для CMP

  • Получить индивидуальный дизайн пористости

  • Свяжитесь с нашей командой инженеров по полупроводникам


Таблица характеристик материала

Тип 
Единица
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Материал
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Цвет
-
Белый слоновая костьБелый
Слоновая кость
Белый
Плотность
г/см³
3.75
3.9
3.92
4.2
Прочность на изгиб
МПа
280
320
370
480
Прочность на сжатие
MPa
2250
2300
2450
2700
Модуль упругости
ГПа
330
370
380
350
Вязкость разрушения
МПа·м^½
3
4
4.5
5.5
Коэффициент Пуассона

0.23
0,22
0.22
0.24
Твердость
HRA
90
91
91
91
Твердость по Виккерсу
HV1
1450
1550
1600
1600
Термическое расширение
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
Теплопроводность
Вт/м·К
25
32
32
8
Термический шок
ΔT·℃
200
220
220
470
Макс. рабочая темп. (окислительная среда)

1200
1400
1650
1000
Макс. рабочая температура (восстановительная)

1200
1400
1700
1000
Удельное объемное сопротивление (20℃)
Ом·см
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Диэлектрическая прочность
кВ/мм
16
20
22
16.5
Диэлектрическая проницаемость (1 МГц)
-11.5111011
Диэлектрические потери (tanδ)
1МГц
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

Телефон
WhatsApp
Электронная почта