Hochreiner Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Handling-Arm für die Halbleiterfertigung. Hervorragende thermische Stabilität, Verschleißfestigkeit und kontaminationsfreie Wafer-Übertragung. Kundenspezifische Lösungen verfügbar.
Hauptschlüsselwort: Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Handling-Arm
sekundäre Schlüsselwörter:
Keramik-Wafer-Transferarm
Roboterarm für Halbleiterwafer-Handling
Hochreine Aluminiumoxid-Komponenten
Wafer-Handling-Endeffektor
Präzisionskeramikarm für Halbleiter
Produktübersicht
Der Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Handling-Arm ist eine Hochleistungskomponente, die für den präzisen Wafer-Transfer in Halbleiterfertigungsumgebungen entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃), bietet er außergewöhnliche mechanische Festigkeit, thermische Stabilität und extrem geringe Partikelbildung, um eine kontaminationsfreie Handhabung empfindlicher Wafer zu gewährleisten.
Hauptmerkmale
1. Hochreines Material (≥ 99 % Al₂O₃)
Gewährleistet ausgezeichnete chemische Beständigkeit und verhindert Kontaminationen während der Wafer-Handhabungsprozesse.
2. Überlegene Verschleißfestigkeit
Verlängert die Lebensdauer auch bei kontinuierlichem automatisiertem Betrieb.
3. Ausgezeichnete thermische Stabilität
Behält die strukturelle Integrität unter Hochtemperatur-Verarbeitungsumgebungen bei.
4. Extrem geringe Partikelbildung
Ideal für Reinraumanwendungen in Halbleiterfabriken.
5. Präzisionsbearbeitung
Enge Toleranzen und glatte Oberflächenbearbeitung für sicheren und präzisen Wafertransfer.
Anwendungen
Halbleiter-Wafer-Handhabungssysteme
Wafer-Transfer-Roboter
Vakuumverarbeitungsanlagen
Reinraum-Automatisierungssysteme
Technische Vorteile
Nichtmetallisches, nichtmagnetisches Material
Hohe Durchschlagsfestigkeit
Korrosionsbeständigkeit in aggressiven Umgebungen
Kompatibel mit Vakuum- und Plasmaumgebungen
Anpassungsoptionen
Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen basierend auf Ihren spezifischen Anforderungen:
Abmessungen und Geometrie
Oberflächenbearbeitung (Polieren, Beschichten)
Montageschnittstellen
Integration mit Robotersystemen
Lokaler Titel (US)
Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Handling-Arm-Lieferant in den USA | Präzisionskomponenten für Halbleiter
Lokalisierter Inhaltsausschnitt
Wir liefern hochwertige Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Handling-Arme an Halbleiterhersteller in den gesamten Vereinigten Staaten, einschließlich Kalifornien, Texas und Arizona. Unsere Produkte erfüllen die strengen Anforderungen fortschrittlicher Halbleiter-Fabs und gewährleisten Zuverlässigkeit, Präzision und langfristige Leistung.
Schneller internationaler Versand und technischer Support für US-Kunden verfügbar.
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| Typ | Einheit | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5 % | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Farbe | - | Elfenbeinweiß | Weiß | Elfenbeinweiß | Weiß |
| Dichte | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3,92 | 4,2 |
| Biegefestigkeit | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Druckfestigkeit | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Elastizitätsmodule | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Bruchzähigkeit | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Poissonzahl | — | 0.23 | 0,22 | 0.22 | 0,24 |
| Härte | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Vickers-Härte | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Thermische Ausdehnung | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6,8 | 6.8 | 9.2 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Thermischer Schock | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Max. Einsatztemperatur (oxidierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Max. Gebrauchstemperatur (reduzierend) | °C | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Spezifischer Widerstand (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Durchschlagsfestigkeit | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Dielektrizitätskonstante (1 MHz) | - | 11,5 | 11 | 10 | 11 |
| Dielektrischer Verlust (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |