Alumina-Keramikteile für Ionenimplantationsgeräte | Hochreine Halbleiterkomponenten
Hochreine Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsanlagen. Hervorragende elektrische Isolierung, thermische Stabilität und Plasmaresistenz für Umgebungen der Halbleiterfertigung.
Aluminiumoxid-Keramik-Teile für Ionenimplantation
Halbleiter-Keramikteile
Keramikteile für Ionenimplanter
Hochreine Aluminiumoxid-Halbleiterteile
Keramische Komponenten für Vakuumsysteme
plasmaresistente Keramikteile
Produktübersicht
Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsanlagen sind präzisionsgefertigte Komponenten, die in der Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Diese Komponenten aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) bieten eine ausgezeichnete elektrische Isolierung, thermische Stabilität und Beständigkeit gegenüber Plasma- und Vakuumumgebungen, was eine zuverlässige Leistung in fortschrittlichen Halbleiterprozessen gewährleistet.
Hauptmerkmale
1. Hochreines Aluminiumoxid (≥99%)
Minimiert Kontamination und erfüllt strenge Reinheitsstandards für Halbleiter.
2. Ausgezeichnete elektrische Isolierung
Unterstützt den stabilen Betrieb in Hochspannungs-Ionenimplantationssystemen.
3. Plasma- und Vakuumkompatibilität
Beständig gegen Plasmaexposition und geeignet für Ultrahochvakuumumgebungen.
4. Thermische Stabilität
Behält die Dimensionsstabilität bei Temperaturschwankungen bei.
5. Niedrige Partikelerzeugung
Entscheidend für die Aufrechterhaltung der Wafer-Ausbeute und Prozesszuverlässigkeit.
Anwendungen
Ionenimplantationssysteme
Ausrüstung zur Verarbeitung von Halbleiterwafern
Vakuum- und Plasmaverarbeitungskammern
Hochspannungsisolationskomponenten
Präzisionswerkzeuge für die Halbleiterindustrie
Technische Vorteile
Nichtmetallisches und nichtmagnetisches Material
Hohe Durchschlagsfestigkeit
Korrosionsbeständigkeit unter reaktiven Umgebungen
Geeignet für Reinräume und Halbleiterfabriken
Anpassungsoptionen
Komplexe Geometrien für die Geräteintegration
Hochpräzisionsbearbeitung und enge Toleranzen
Oberflächenveredelung für geringe Partikelbildung
Kundenspezifische Designs basierend auf den Anforderungen von Halbleiteranlagen
Lokalisierter Titel (US)
Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsanlagen | USA Halbleiterlieferant
Lokalisierter Inhaltsausschnitt
Wir liefern hochreine Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationssysteme an Halbleiterhersteller in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere Teile sind für Vakuumkompatibilität, Plas resistance und Präzisionsleistung in fortschrittlichen Wafer-Processing-Umgebungen ausgelegt.
Technische Unterstützung und weltweite Lieferung verfügbar.
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| Typ | Einheit | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Farbe | - | Weißes Elfenbein | Weiß | Elfenbeinweiß | Weiß |
| Dichte | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Biegefestigkeit | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Druckfestigkeit | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Elastizitätsmodul | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Bruchzähigkeit | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Poissonzahl | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Härte | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Vickers-Härte | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Thermische Ausdehnung | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6,8 | 6.8 | 9.2 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Thermischer Schock | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Max. Einsatztemperatur (oxidierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Max. Einsatztemperatur (reduzierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Volumenwiderstand (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Dielektrizitätsfestigkeit | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Dielektrizitätskonstante (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Dielektrischer Verlust (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
