Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsgeräte | Hochreine Halbleiterkomponenten
Hochreine Alumina-Keramikteile für Ionenimplantationsgeräte. Ausgezeichnete elektrische Isolierung, thermische Stabilität und Plasmaresistenz für Umgebungen der Halbleiterfertigung.
Aluminiumoxid-Keramik-Ionenimplantations-Teile
Halbleiterkeramikkomponenten
Ioneneinstrahlungs-keramikteile
hochreine Alumina-Halbleiterteile
Keramikkomponenten für Vakuumsysteme
plasmarresistente Keramikteile
Produktübersicht
Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsanlagen sind präzisionsgefertigte Komponenten, die in der Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Diese aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) gefertigten Komponenten bieten eine ausgezeichnete elektrische Isolierung, thermische Stabilität und Beständigkeit gegen Plasma- und Vakuumumgebungen, was eine zuverlässige Leistung in fortschrittlichen Halbleiterprozessen gewährleistet.
Hauptmerkmale
1. Hochreines Aluminiumoxid (≥99%)
Minimiert Kontamination und erfüllt strenge Sauberkeitsstandards für Halbleiter.
2. Exzellente elektrische Isolierung
Unterstützt stabilen Betrieb in Hochspannungs-Ionenimplantationssystemen.
3. Plasma- und Vakuumkompatibilität
Beständig gegen Plasmaexposition und geeignet für Ultrahochvakuumumgebungen.
4. Thermische Stabilität
Behält Dimensionsstabilität bei Temperaturschwankungen bei.
5. Geringe Partikelbildung
Entscheidend für die Aufrechterhaltung der Wafer-Ausbeute und Prozesszuverlässigkeit.
Anwendungen
Ioneneinstrahlungssysteme
Ausrüstung zur Verarbeitung von Halbleiterwafern
Vakuum- und Plasmabearbeitungskammern
Hochspannungsisolationskomponenten
Präzisionswerkzeuge für die Halbleiterindustrie
Technische Vorteile
Nichtmetallisches und nichtmagnetisches Material
Hohe Durchschlagsfestigkeit
Korrosionsbeständigkeit unter reaktiven Umgebungen
Geeignet für Reinräume und Halbleiterfabriken
Anpassungsoptionen
Komplexe Geometrien für die Geräteintegration
Hochpräzisionsbearbeitung und enge Toleranzen
Oberflächenveredelung für geringe Partikelerzeugung
Maßgeschneiderte Designs basierend auf den Anforderungen an Halbleiterausrüstung
Lokalisierter Titel (US)
Alumina-Keramikteile für Ionenimplantationsgeräte | USA Halbleiterlieferant
Lokalisierter Inhaltsausschnitt
Wir liefern hochreine Aluminiumoxid-Keramikkomponenten für Ionenimplantationssysteme an Halbleiterhersteller in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere Teile sind für Vakuumkompatibilität, Plasmarresistenz und Präzisionsleistung in fortschrittlichen Wafer-Processing-Umgebungen ausgelegt.
Ingenieurdienstleistungen und weltweite Lieferung verfügbar.
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| Typ | Einheit | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Farbe | - | Weißes Elfenbein | Weiß | Elfenbeinweiß | Weiß |
| Dichte | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Biegefestigkeit | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Druckfestigkeit | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Elastizitätsmodul | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Bruchzähigkeit | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4,5 | 5.5 |
| Poisson-Zahl | — | 0.23 | 0,22 | 0,22 | 0.24 |
| Härte | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Vickers-Härte | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Thermische Ausdehnung | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6,8 | 9.2 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Thermischer Schock | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Max. Betriebstemperatur (oxidierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Max. Einsatztemperatur (reduzierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Spezifischer Widerstand (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Durchschlagfestigkeit | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Dielektrizitätskonstante (1MHz) | - | 11,5 | 11 | 10 | 11 |
| Dielektrischer Verlust (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
