Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsanlagen | Hochreine Halbleiterkomponenten
Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsanlagen | Hochreine Halbleiterkomponenten
HOT
Aluminiumoxidkeramik-Teile für Ionenimplantationsanlagen | Hochreine Halbleiterkomponenten
Anpassung:
Verfügbar
Zahlungsbedingungen:
LC, T/T
OEM/ODM:
verfügbar
Produktdetails
Anhänge
FAQ
Wesentliche Details
Versand:Expressversand
Spezifikationsnummer:SN001Al2O3017
Produkteinführung

Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsausrüstung | Hochreine Halbleiterkomponenten


Hochreine Alumina-Keramikteile für Ionenimplantationsgeräte. Ausgezeichnete elektrische Isolierung, thermische Stabilität und Plasmaresistenz für Umgebungen in der Halbleiterfertigung.


  • Aluminiumoxid-Keramik-Teile für Ionenimplantation

  • Halbleiter-Keramikteile

  • Keramikteile für Ionenimplanter

  • Hochreine Aluminiumoxid-Halbleiterteile

  • Keramikkomponenten für Vakuumsysteme

  • plasmaresistente Keramikteile


Produktübersicht

Aluminiumoxid-Keramikteile für Ionenimplantationsanlagen sind präzisionsgefertigte Komponenten, die in der Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Diese Komponenten aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) bieten eine ausgezeichnete elektrische Isolierung, thermische Stabilität und Beständigkeit gegenüber Plasma- und Vakuumumgebungen, was eine zuverlässige Leistung in fortschrittlichen Halbleiterprozessen gewährleistet.


Hauptmerkmale

1. Hochreines Aluminiumoxid (≥99%)
Minimiert Kontamination und erfüllt strenge Reinheitsstandards für Halbleiter.

2. Exzellente elektrische Isolierung
Unterstützt stabilen Betrieb in Hochspannungs-Ionenimplantationssystemen.

3. Plasma- und Vakuumkompatibilität
Beständig gegen Plasmaexposition und geeignet für Ultrahochvakuumumgebungen.

4. Thermische Stabilität
Behält Dimensionsstabilität bei Temperaturschwankungen bei.

5. Geringe Partikelbildung
Entscheidend für die Aufrechterhaltung der Wafer-Ausbeute und Prozesszuverlässigkeit.


Anwendungen

  • Ionenimplantationssysteme

  • Ausrüstung zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

  • Vakuum- und Plasmaverarbeitungskammern

  • Hochspannungsisolationskomponenten

  • Präzisionswerkzeuge für die Halbleiterindustrie


Technische Vorteile

  • Nichtmetallisches und nichtmagnetisches Material

  • Hohe Durchschlagsfestigkeit

  • Korrosionsbeständigkeit unter reaktiven Umgebungen

  • Geeignet für Reinräume und Halbleiterfabriken


Anpassungsoptionen

  • Komplexe Geometrien für die Geräteintegration

  • Hochpräzisionsbearbeitung und enge Toleranzen

  • Oberflächenveredelung für geringe Partikelbildung

  • Maßgeschneiderte Designs basierend auf den Anforderungen an Halbleiterausrüstung


Lokalisierter Titel (US)

Alumina-Keramikteile für Ionenimplantationsgeräte | USA Halbleiterlieferant

Lokalisierter Inhaltsausschnitt

Wir liefern hochreine Aluminiumoxid-Keramikkomponenten für Ionenimplantationssysteme an Halbleiterhersteller in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere Teile sind für Vakuumkompatibilität, Plasmaresistenz und Präzisionsleistung in fortschrittlichen Wafer-Verarbeitungsumgebungen ausgelegt.

Ingenieurdienstleistungen und weltweite Lieferung verfügbar.


🔹 CTA

  • Angebot für Halbleiterteile anfordern

  • Reichen Sie Ihre technische Zeichnung ein

  • Kontaktieren Sie unser Ingenieurteam


Materialeigenschaften-Tabelle

Typ
Einheit
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Farbe
-
Weißes ElfenbeinWeiß
Elfenbeinweiß
Weiß
Dichte
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
Biegefestigkeit
MPa
280
320
370
480
Druckfestigkeit
MPa
2250
2300
2450
2700
Elastizitätsmodul
GPa
330
370
380
350
Bruchzähigkeit
MPa·m^½
3
4
4,5
5.5
Poissonzahl

0.23
0,22
0,22
0.24
Härte
HRA
90
91
91
91
Vickers-Härte
HV1
1450
1550
1600
1600
Thermische Ausdehnung
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6,8
6,8
9.2
Wärmeleitfähigkeit
W/m·K
25
32
32
8
Thermischer Schock
ΔT·℃
200
220
220
470
Max. Einsatztemperatur (oxidierend)

1200
1400
1650
1000
Max. Einsatztemperatur (reduzierend)

1200
1400
1700
1000
Spezifischer Widerstand (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Durchschlagfestigkeit
kV/mm
16
20
22
16.5
Dielektrizitätskonstante (1MHz)
-11,5111011
Dielektrischer Verlust (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

Telefon
WhatsApp
E-Mail