Abdeckring/Aluminiumnitrid-Abdeckring | Hochwärmeleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleiter
Abdeckring/Aluminiumnitrid-Abdeckring | Hochwärmeleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleiter
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Aluminiumnitrid-Abdeckring | Hochwärmeleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleiterausrüstung
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Spezifikationsnummer:SN0010048
Produkteinführung

Aluminiumnitrid-Abdeckring | Hochwärmeleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleiteranlagen


Aluminiumnitrid (AlN)-Abdeckringe mit hoher Wärmeleitfähigkeit und elektrischer Isolierung. Ideal für Halbleiteranlagen, Plasmasysteme und Hochtemperaturumgebungen.


  • Abdeckring aus Aluminiumnitrid

  • AlN-Dichtring

  • Halbleiter-Keramik-Abdeckring

  • Keramikring mit hoher Wärmeleitfähigkeit

  • isolierender Keramikring AlN

  • Keramikring für Plasmaanlagen


Produktübersicht

Der Aluminiumnitrid (AlN)-Abdeckring, auch bekannt als Kompressionsring, ist eine Hochleistungs-Keramikkomponente, die für Halbleiter- und Plasmaverarbeitungsanlagen entwickelt wurde. Mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und elektrischer Isolierung werden AlN-Ringe häufig zum Schutz, zur Positionierung und zur Stabilisierung von Komponenten in Hochtemperatur- und Reinraumumgebungen eingesetzt.


Hauptmerkmale

1. Hohe Wärmeleitfähigkeit
Effiziente Wärmeableitung hilft, die thermische Stabilität in Halbleiterprozessen aufrechtzuerhalten.

2. Hervorragende elektrische Isolierung
Gewährleistet sicheren Betrieb in elektrisch empfindlichen Umgebungen.

3. Hohe Temperaturbeständigkeit
Geeignet für Plasma- und Hochtemperatur-Verarbeitungsbedingungen.

4. Dimensionsstabilität
Behält Form und Präzision bei thermischer Zyklisierung bei.

5. Geringe Partikelgenerierung
Ideal für Reinraum- und kontaminationssensible Anwendungen.


Anwendungen

  • Ausrüstung für die Halbleiterfertigung

  • Plasmaätz- und Abscheidesysteme

  • Wafer-Handling und Kammerkomponenten

  • Vakuum- und Hochtemperatursysteme

  • Präzisionsindustriegeräte


Technische Vorteile

  • Verbessertes Wärmemanagement in Geräten

  • Reduziertes Kontaminationsrisiko in Reinraumumgebungen

  • Lange Lebensdauer unter rauen Betriebsbedingungen

  • Kompatibel mit fortschrittlichen Halbleiterprozessen


Anpassungsoptionen

  • Außen- und Innendurchmesser

  • Dicken- und Profildesign

  • Ebenheit und Oberflächenbearbeitung

  • Bearbeitung von Schlitzen, Löchern oder Sonderformen

  • OEM-Produktion nach Zeichnung


Lokalisierter Titel (USA)

Aluminiumnitrid-Abdeckringe für Halbleiteranlagen | Hochwärmeleitfähiger Keramiklieferant in den USA

Lokalisierter Inhaltsausschnitt

Wir liefern Hochleistungs-Aluminiumnitrid-Abdeckringe an Kunden in den gesamten Vereinigten Staaten für Anwendungen in der Halbleiter- und Plasmaverarbeitung. Unsere AlN-Ringe bieten hervorragendes Wärmemanagement, elektrische Isolierung und Haltbarkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

OEM-Anpassung und technischer Support verfügbar.


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Materialeigenschaften


品类Qualität AlN-HT170AlN-S170
Chemische ZusammensetzungAlN%%≥99.5≥99,5
Chemische Struktur
生产工艺 HeißpressenAtmosphäre Sintern
Produktionsprozess
Dichteg/cm3≥3,26 g/cm³3≥3,3 g/cm³3
Dichte
Wärmeleitfähigkeit (Raumtemperatur)W/m·K≥170≥170
Wärmeleitfähigkeit bei 20℃
Oberflächenrauheitµm≤ 2≤ 2
Oberflächenbeschaffenheit
Riedel-HärteHL800750
Härte
BiegefestigkeitMPa≥350≥350
Biegefestigkeit

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