Abdeckring/Aluminiumnitrid-Abdeckring | Hochwärmeleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleiter
Abdeckring/Aluminiumnitrid-Abdeckring | Hochwärmeleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleiter
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Aluminiumnitrid-Abdeckring | Hochwärmeleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleiterausrüstung
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Spezifikationsnummer:SN001Al2O3047
Produkteinführung

Aluminium-Nitrid-Abdeckring | Hochleitfähiger AlN-Kompressionsring für Halbleitergeräte


Aluminium-Nitrid (AlN) Abdeckringe mit hoher Wärmeleitfähigkeit und elektrischer Isolierung. Ideal für Halbleitergeräte, Plasma-Systeme und Hochtemperaturumgebungen.


  • Aluminiumnitrid-Abdeckring

  • AlN-Druckring

  • Keramischer Abdeckring Halbleiter

  • Keramikring mit hoher Wärmeleitfähigkeit

  • isolierender Keramikring AlN

  • Plasma-Ausrüstungs-Keramikkreis


Produktübersicht

Der Aluminium-Nitrid (AlN) Abdeckring, auch bekannt als Kompressionsring, ist ein Hochleistungs-Keramikelement, das für Halbleiter- und Plasmaverarbeitungsausrüstungen entwickelt wurde. Mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und elektrischer Isolierung werden AlN-Ringe häufig verwendet, um Komponenten in Hochtemperatur- und Reinraumbedingungen zu schützen, zu positionieren und zu stabilisieren.


Hauptmerkmale

1. Hohe Wärmeleitfähigkeit
Effiziente Wärmeableitung hilft, die thermische Stabilität in Halbleiterprozessen aufrechtzuerhalten.

2. Ausgezeichnete elektrische Isolierung
Stellt einen sicheren Betrieb in elektrisch sensiblen Umgebungen sicher.

3. Hohe Temperaturbeständigkeit
Geeignet für Plasma- und Hochtemperatur-Verarbeitungsbedingungen.

4. Dimensionale Stabilität
Behält Form und Präzision bei thermischer Wechselbelastung bei.

5. Geringe Partikelgenerierung
Ideal für Reinräume und kontaminationssensible Anwendungen.


Anwendungen

  • Halbleiterverarbeitungsgeräte

  • Plasma-Ätz- und Abscheidesysteme

  • Wafer-Handling und Kammerkomponenten

  • Vakuum- und Hochtemperatursysteme

  • Präzisionsindustriegeräte


Technische Vorteile

  • Verbessertes Wärmemanagement in Geräten

  • Reduziertes Kontaminationsrisiko in Reinraumumgebungen

  • Lange Lebensdauer unter rauen Betriebsbedingungen

  • Kompatibel mit fortschrittlichen Halbleiterprozessen


Anpassungsoptionen

  • Außen- und Innendurchmesser

  • Dicken- und Profildesign

  • Planheit und Oberflächenbearbeitung

  • Bearbeitung von Schlitzen, Löchern oder speziellen Merkmalen

  • OEM-Produktion basierend auf Zeichnungen


Lokalisierter Titel (USA)

Aluminiumnitrid-Abdeckringe für Halbleiteranlagen | Hochwärmeleitfähiger Keramiklieferant in den USA

Lokalisierter Inhaltsausschnitt

Wir liefern Hochleistungs-Aluminiumnitrid-Abdeckringe an Kunden in den gesamten Vereinigten Staaten für Halbleiter- und Plasmaverarbeitungsanwendungen. Unsere AlN-Ringe bieten hervorragendes Wärmemanagement, elektrische Isolierung und Haltbarkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

OEM-Anpassung und technischer Support verfügbar.


🔹 CTA

  • Angebot für einen kundenspezifischen AlN-Ring anfordern

  • Reichen Sie Ihre technischen Zeichnungen ein

  • Kontaktieren Sie unser Ingenieurteam


Materialeigenschaften


KategorieQualität AlN-HT170AlN-S170
Chemische ZusammensetzungAlN%%≥99,5≥99,5
Chemische Struktur
Produktionsprozess HeißpressenAtmosphäre Sintern
Produktionsprozess
Dichteg/cm3≥3.26g/cm3≥3.3g/cm3
Dichte
Wärmeleitfähigkeit (Raumtemperatur)W/m.k≥170≥170
Wärmeleitfähigkeit bei 20℃
Oberflächenrauhigkeitµm≤ 2≤ 2
Oberflächenbeschaffenheit
Riedel-HärteHL800750
Härte
BiegefestigkeitMPa≥350≥350
Biegefestigkeit

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