Piezas de Cerámica de Alúmina para Equipos de Implantación Iónica | Componentes de Semiconductores de Alta Pureza
Piezas de Cerámica de Alúmina para Equipos de Implantación Iónica | Componentes de Semiconductores de Alta Pureza
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Partes de Cerámica de Alúmina para Equipos de Implantación Iónica | Componentes Semiconductores de Alta Pureza
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número de especificación:SN001Al2O3017
Introducción del producto

Piezas de cerámica de alúmina para equipos de implantación de iones | Componentes semiconductores de alta pureza


Piezas de cerámica de alúmina de alta pureza para equipos de implantación iónica. Excelente aislamiento eléctrico, estabilidad térmica y resistencia al plasma para entornos de fabricación de semiconductores.


  • piezas de cerámica de alúmina para implantación iónica

  • componentes cerámicos semiconductores

  • partes cerámicas de implantación de iones

  • partes semiconductoras de alúmina de alta pureza

  • componentes cerámicos para sistemas de vacío

  • piezas cerámicas resistentes al plasma


Descripción del Producto

Las piezas de cerámica de alúmina para equipos de implantación iónica son componentes de ingeniería de precisión utilizados en sistemas de fabricación de semiconductores. Fabricadas con alúmina de alta pureza (Al₂O₃), estos componentes proporcionan un excelente aislamiento eléctrico, estabilidad térmica y resistencia a entornos de plasma y vacío, asegurando un rendimiento fiable en procesos avanzados de semiconductores.


Características Clave

1. Alúmina de alta pureza (≥99%)
Minimiza la contaminación y cumple con estrictos estándares de limpieza para semiconductores.

2. Excelente Aislamiento Eléctrico
Soporta operación estable en sistemas de implantación de iones de alta tensión.

3. Compatibilidad con Plasma y Vacío
Resistente a la exposición al plasma y adecuado para entornos de vacío ultra alto.

4. Estabilidad térmica
Mantiene la estabilidad dimensional bajo fluctuaciones de temperatura.

5. Baja generación de partículas
Crítico para mantener el rendimiento de las obleas y la fiabilidad del proceso.


Aplicaciones

  • Sistemas de implantación de iones

  • Equipos de procesamiento de obleas de semiconductores

  • Cámaras de procesamiento de vacío y plasma

  • Componentes de aislamiento de alta tensión

  • Herramientas de precisión para semiconductores


Ventajas técnicas

  • Material no metálico y no magnético

  • Alta rigidez dieléctrica

  • Resistencia a la corrosión en entornos reactivos

  • Adecuado para salas limpias y fábricas de semiconductores


Opciones de personalización

  • Geometrías complejas para integración de equipos

  • Mecanizado de alta precisión y tolerancias ajustadas

  • Acabado superficial para baja generación de partículas

  • Diseños personalizados basados en los requisitos del equipo semiconductor


Título Localizado (EE. UU.)

Piezas de cerámica de alúmina para equipos de implantación iónica | Proveedor de semiconductores de EE. UU.

Fragmento de contenido localizado

Suministramos componentes cerámicos de alúmina de alta pureza para sistemas de implantación iónica a fabricantes de semiconductores en todo Estados Unidos. Nuestras piezas están diseñadas para compatibilidad con vacío, resistencia al plasma y rendimiento de precisión en entornos avanzados de procesamiento de obleas.

Soporte de ingeniería y entrega global disponibles.


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Tabla de características del material

Tipo
Unidad
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99.5%
Al₂O₃ 99.7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Color
-
Marfil blancoBlanco
Blanco Marfil
Blanco
Densidad
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
Resistencia a la flexión
MPa
280
320
370
480
Resistencia a la compresión
MPa
2250
2300
2450
2700
Módulo de elasticidad
GPa
330
370
380
350
Tenacidad a la fractura
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
Relación de Poisson

0.23
0.22
0.22
0.24
Dureza
HRA
90
91
91
91
Dureza Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Expansión térmica
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
Conductividad Térmica
W/m·K
25
32
32
8
Choque térmico
ΔT·℃
200
220
220
470
Temp. Máx. de Uso (Oxidante)

1200
1400
1650
1000
Temp. Máx. Uso (Reductor)

1200
1400
1700
1000
Resistividad de volumen (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Rigidez dieléctrica
kV/mm
16
20
22
16.5
Constante Dieléctrica (1MHz)
-11.5111011
Pérdida Dielectrica (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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