Piezas de cerámica de alúmina para equipos de implantación iónica | Componentes semiconductores de alta pureza
Partes de cerámica de alúmina de alta pureza para equipos de implantación iónica. Excelente aislamiento eléctrico, estabilidad térmica y resistencia al plasma para entornos de fabricación de semiconductores.
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Descripción general del producto
Las piezas de cerámica de alúmina para equipos de implantación iónica son componentes de ingeniería de precisión utilizados en sistemas de fabricación de semiconductores. Fabricadas con alúmina de alta pureza (Al₂O₃), estos componentes proporcionan un excelente aislamiento eléctrico, estabilidad térmica y resistencia a entornos de plasma y vacío, garantizando un rendimiento fiable en procesos avanzados de semiconductores.
Características clave
1. Alúmina de alta pureza (≥99%)
Minimiza la contaminación y cumple con estrictos estándares de limpieza de semiconductores.
2. Excelente Aislamiento Eléctrico
Soporta operación estable en sistemas de implantación iónica de alto voltaje.
3. Compatibilidad con plasma y vacío
Resistente a la exposición al plasma y adecuado para entornos de vacío ultra alto.
4. Estabilidad térmica
Mantiene la estabilidad dimensional bajo fluctuaciones de temperatura.
5. Baja generación de partículas
Crítico para mantener el rendimiento de la oblea y la fiabilidad del proceso.
Aplicaciones
Sistemas de implantación de iones
Equipos de procesamiento de obleas de semiconductores
Cámaras de procesamiento de vacío y plasma
Componentes de aislamiento de alto voltaje
Herramientas de precisión para semiconductores
Ventajas técnicas
Material no metálico y no magnético
Alta rigidez dieléctrica
Resistencia a la corrosión en entornos reactivos
Adecuado para salas limpias y fábricas de semiconductores
Opciones de personalización
Geometrías complejas para integración de equipos
Mecanizado de alta precisión y tolerancias ajustadas
Acabado superficial para baja generación de partículas
Diseños personalizados basados en los requisitos de equipos de semiconductores
Título localizado (EE. UU.)
Partes de cerámica de alúmina para equipos de implantación iónica | Proveedor de semiconductores en EE. UU.
Fragmento de contenido localizado
Suministramos componentes cerámicos de alúmina de alta pureza para sistemas de implantación iónica a fabricantes de semiconductores en todo Estados Unidos. Nuestras piezas están diseñadas para compatibilidad con vacío, resistencia al plasma y rendimiento de precisión en entornos avanzados de procesamiento de obleas.
Soporte de ingeniería y entrega global disponibles.
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| Tipo | Unidad | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Color | - | Marfil blanco | Blanco | Blanco Marfil | Blanco |
| Densidad | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Resistencia a la flexión | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Resistencia a la compresión | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Módulo de elasticidad | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacidad a la fractura | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Coeficiente de Poisson | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureza | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureza Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansión térmica | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Conductividad térmica | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choque térmico | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Máx. de Uso (Reductor) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Resistividad volumétrica (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Resistencia dieléctrica | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Constante Dieléctrica (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Pérdida dieléctrica (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
