Plato de vacío de cerámica de alúmina porosa para CMP | Solución de sujeción de obleas de alta pureza
Plato de vacío de cerámica de alúmina porosa para CMP | Solución de sujeción de obleas de alta pureza
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Plato de Vacío de Cerámica de Alúmina Porosa para CMP | Solución de Sujeción de Obleas de Alta Pureza
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número de especificación:SN0010006
Introducción del producto

Plato de Vacío de Cerámica de Alúmina Porosa para CMP | Solución de Sujeción de Obleas de Alta Pureza


Sujeción de vacío de cerámica de alúmina porosa de alta pureza para procesos CMP. Succión uniforme, baja contaminación y superior planitud para aplicaciones de pulido de obleas de precisión.


🔹 Palabras Clave Principales

  • palabra clave principal: plato de vacío de cerámica de alúmina porosa

  • palabras clave secundarias:

    • Plato de vacío CMP

    • sujeción de vacío de oblea de cerámica

    • portapiezas de cerámica porosa para pulido de obleas

    • placa de vacío de alúmina de alta pureza

    • sujeción de oblea de semiconductor


Descripción general del producto

El Plato de Vacío de Cerámica de Alúmina Porosa para CMP es un componente diseñado con precisión para la fijación de obleas durante los procesos de Planarización Mecánica Química (CMP). Fabricado a partir de alúmina porosa de alta pureza (Al₂O₃), proporciona una distribución uniforme del vacío, una excelente planitud y una contaminación ultrabaja, asegurando un pulido de obleas estable y preciso.


Características Clave

1. Alúmina de alta pureza (≥ 99%)
Minimiza el riesgo de contaminación en entornos de fabricación de semiconductores.

2. Estructura Porosa Uniforme
Asegura una distribución uniforme del vacío para una sujeción estable de la oblea y una mejor consistencia en el pulido.

3. Planitud y Precisión de Superficie
Soporta un posicionamiento preciso de la oblea y una eliminación uniforme del material durante la CMP.

4. Baja generación de partículas
Crítico para mantener el rendimiento en procesos avanzados de semiconductores.

5. Resistencia Química
Resistente a lodos de CMP y productos químicos agresivos.


Aplicaciones

  • procesos CMP (Planarización Químico-Mecánica)

  • Sistemas de pulido de obleas

  • Equipo de fabricación de semiconductores

  • Manipulación y fijación de obleas de precisión


Ventajas Técnicas

  • Porosidad controlada para un rendimiento de vacío optimizado

  • Alta resistencia mecánica a pesar de la estructura porosa

  • Estabilidad térmica bajo condiciones de proceso

  • Compatible con entornos ultralimpios y de vacío


Opciones de Personalización

Ofrecemos platos de vacío CMP totalmente personalizados:

  • Tamaño de poro y control de porosidad

  • Diámetro y grosor

  • Especificaciones de planitud de superficie

  • Diseño de canal de vacío

  • Integración con equipos CMP


Título Localizado (EE. UU.)

Proveedor de Plato de Vacío de Alúmina Porosa para CMP en EE. UU. | Soluciones de Obleas de Semiconductores

Fragmento de contenido localizado

Suministramos portapiezas de cerámica de alúmina porosa de alta precisión para aplicaciones CMP a fabricantes de semiconductores en todo Estados Unidos. Diseñados para el procesamiento avanzado de obleas, nuestros productos garantizan una succión uniforme, baja contaminación y alta fiabilidad.

Soporte de ingeniería y entrega global rápida disponible.


🔹 CTA

  • Solicitar Presupuesto para Plato de Vacío CMP

  • Obtener Diseño de Porosidad Personalizado

  • Contacte a Nuestro Equipo de Ingeniería de Semiconductores


Tabla de Características del Material

Tipo 
Unidad
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99.5%
Al₂O₃ 99.7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Color
-
Marfil blancoBlanco
Blanco Marfil
Blanco
Densidad
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
Resistencia a la Flexión
MPa
280
320
370
480
Resistencia a la Compresión
MPa
2250
2300
2450
2700
Módulo de Elasticidad
GPa
330
370
380
350
Tenacidad a la Fractura
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
Coeficiente de Poisson

0.23
0.22
0.22
0.24
Dureza
HRA
90
91
91
91
Dureza Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Expansión Térmica
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
Conductividad Térmica
W/m·K
25
32
32
8
Choque Térmico
ΔT·℃
200
220
220
470
Temp. Máx. Uso (Oxidante)

1200
1400
1650
1000
Temp. Máx de Uso (Reducción)

1200
1400
1700
1000
Resistividad volumétrica (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Rigidez Dieléctrica
kV/mm
16
20
22
16.5
Constante Dieléctrica (1MHz)
-11.5111011
Pérdida Dieléctrica (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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