Plato de Vacío de Cerámica de Alúmina Porosa para CMP | Solución de Sujeción de Obleas de Alta Pureza
Sujeción de cerámica al vacío porosa de alta pureza para procesos CMP. Succión uniforme, baja contaminación y superior planitud para aplicaciones de pulido de obleas de precisión.
🔹 Palabras Clave Principales
palabra clave principal: plato de vacío de cerámica de alúmina porosa
palabras clave secundarias:
Plato de vacío CMP
sujeción de oblea de cerámica al vacío
garra de cerámica porosa para pulido de obleas
placa de vacío de alúmina de alta pureza
sujeción de oblea de semiconductor
Descripción del producto
El Plato de Vacío de Cerámica de Alúmina Porosa para CMP es un componente de precisión diseñado para la fijación de wafers durante los procesos de Planarización Mecánica Química (CMP). Fabricado con alúmina porosa de alta pureza (Al₂O₃), proporciona una distribución de vacío uniforme, excelente planitud y contaminación ultra-baja, asegurando un pulido de wafers estable y preciso.
Características Clave
1. Alúmina de alta pureza (≥ 99%)
Minimiza el riesgo de contaminación en entornos de fabricación de semiconductores.
2. Estructura Porosa Uniforme
Asegura una distribución uniforme del vacío para una sujeción estable de la oblea y una mejor consistencia en el pulido.
3. Planitud y Precisión de Superficie
Soporta posicionamiento preciso de obleas y eliminación uniforme de material durante CMP.
4. Baja generación de partículas
Crítico para mantener el rendimiento en procesos avanzados de semiconductores.
5. Resistencia Química
Resistente a las suspensiones CMP y productos químicos agresivos.
Aplicaciones
procesos CMP (Planarización Químico-Mecánica)
Sistemas de pulido de wafers
Equipo de fabricación de semiconductores
Manipulación y fijación de obleas de precisión
Ventajas Técnicas
Porosidad controlada para un rendimiento de vacío optimizado
Alta resistencia mecánica a pesar de la estructura porosa
Estabilidad térmica bajo condiciones de proceso
Compatible con entornos ultra limpios y de vacío
Opciones de Personalización
Ofrecemos platos de vacío CMP totalmente personalizados:
Tamaño de poro y control de porosidad
Diámetro y grosor
Especificaciones de planitud de superficie
Diseño de canal de vacío
Integración con equipos CMP
Título Localizado (EE. UU.)
Proveedor de Chuck de Vacío de Alúmina Porosa en EE. UU. | Soluciones para Wafers de Semiconductores
Fragmento de contenido localizado
Suministramos garras de vacío de cerámica de alúmina porosa de alta precisión para aplicaciones CMP a fabricantes de semiconductores en los Estados Unidos. Diseñados para el procesamiento avanzado de obleas, nuestros productos garantizan una succión uniforme, baja contaminación y alta fiabilidad.
Soporte de ingeniería y entrega global rápida disponible.
🔹 CTA
Solicitar una Cotización para Chuck de Vacío CMP
Obtener Diseño de Porosidad Personalizado
Contacte a Nuestro Equipo de Ingeniería de Semiconductores
| Tipo | Unidad | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Color | - | Marfil blanco | Blanco | Blanco Marfil | Blanco |
| Densidad | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Resistencia a la Flexión | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Resistencia a la Compresión | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Módulos de Elasticidad | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacidad a la Fractura | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Coeficiente de Poisson | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureza | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureza Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansión Térmica | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Conductividad Térmica | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choque Térmico | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Máx de Uso (Reducción) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Resistividad de volumen (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Rigidez Dieléctrica | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Constante Dieléctrica (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Pérdida Dieléctrica (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

