Plato de Vacío de Cerámica de Alúmina Porosa para CMP | Solución de Sujeción de Obleas de Alta Pureza
Portabrocas de vacío cerámico de alúmina porosa de alta pureza para procesos CMP. Succión uniforme, baja contaminación y planitud superior para aplicaciones de pulido de obleas de precisión.
🔹 Palabras Clave Principales
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Descripción general del producto
El Plato de Vacío de Cerámica de Alúmina Porosa para CMP es un componente diseñado con precisión para la fijación de obleas durante los procesos de Planarización Mecánica Química (CMP). Fabricado a partir de alúmina porosa de alta pureza (Al₂O₃), proporciona una distribución uniforme del vacío, una excelente planitud y una contaminación ultrabaja, garantizando un pulido de obleas estable y preciso.
Características Clave
1. Alúmina de alta pureza (≥ 99%)
Minimiza el riesgo de contaminación en entornos de fabricación de semiconductores.
2. Estructura Porosa Uniforme
Asegura una distribución uniforme del vacío para una sujeción estable de la oblea y una consistencia de pulido mejorada.
3. Planitud y Precisión Superficial
Soporta un posicionamiento preciso de la oblea y una eliminación uniforme del material durante la CMP.
4. Baja generación de partículas
Crítico para mantener el rendimiento en procesos avanzados de semiconductores.
5. Resistencia Química
Resistente a lodos de CMP y productos químicos agresivos.
Aplicaciones
procesos CMP (Planarización Químico-Mecánica)
Sistemas de pulido de obleas
Equipos de fabricación de semiconductores
Manipulación y fijación de obleas de precisión
Ventajas Técnicas
Porosidad controlada para un rendimiento de vacío optimizado
Alta resistencia mecánica a pesar de la estructura porosa
Estabilidad térmica bajo condiciones de proceso
Compatible con entornos ultralimpios y de vacío
Opciones de Personalización
Ofrecemos platos de vacío CMP totalmente personalizados:
Tamaño de poro y control de porosidad
Diámetro y grosor
Especificaciones de planitud superficial
Diseño de canal de vacío
Integración con equipos CMP
Título Localizado (EE. UU.)
Proveedor de Plato de Vacío de Alúmina Porosa para CMP en EE. UU. | Soluciones de Obleas de Semiconductores
Fragmento de contenido localizado
Suministramos portapiezas de cerámica de alúmina porosa de alta precisión para aplicaciones CMP a fabricantes de semiconductores en todo Estados Unidos. Diseñados para el procesamiento avanzado de obleas, nuestros productos garantizan una succión uniforme, baja contaminación y alta fiabilidad.
Soporte de ingeniería y entrega global rápida disponibles.
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| Tipo | Unidad | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Color | - | Marfil blanco | Blanco | Blanco Marfil | Blanco |
| Densidad | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Resistencia a la Flexión | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Resistencia a la Compresión | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Módulo de Elasticidad | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacidad a la Fractura | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Coeficiente de Poisson | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureza | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureza Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansión Térmica | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Conductividad Térmica | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choque Térmico | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Máx. de Uso (Reductor) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Resistividad volumétrica (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Rigidez Dieléctrica | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Constante Dieléctrica (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Pérdida Dieléctrica (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

