Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
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Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
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Expédition:快递
numéro de spécification:SN0010006
Introduction du produit

Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté


Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse de haute pureté pour les procédés CMP. Succion uniforme, faible contamination et planéité supérieure pour les applications de polissage de précision des tranches.


🔹 Mots-clés principaux

  • mot-clé principal : mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse

  • mots-clés secondaires :

    • Mandrin à vide CMP

    • mandrin à vide en céramique pour tranche

    • mandrin en céramique poreuse pour le polissage de wafers

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    • mandrin de maintien de tranche de semi-conducteur


Aperçu du produit

Le Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP est un composant conçu avec précision pour la fixation des plaquettes lors des processus de planarisation mécano-chimique (CMP). Fabriqué à partir d'alumine poreuse de haute pureté (Al₂O₃), il assure une distribution uniforme du vide, une excellente planéité et une contamination ultra-faible, garantissant un polissage stable et précis des plaquettes.


Caractéristiques principales

1. Alumine de haute pureté (≥ 99 %)
Minimise le risque de contamination dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

2. Structure poreuse uniforme
Assure une distribution uniforme du vide pour un maintien stable de la tranche et une meilleure cohérence du polissage.

3. Planéité et précision de surface
Prend en charge le positionnement précis du wafer et l'élimination uniforme du matériau pendant la CMP.

4. Faible génération de particules
Critique pour le maintien du rendement dans les processus avancés de semi-conducteurs.

5. Résistance chimique
Résistant aux boues CMP et aux produits chimiques agressifs.


Applications

  • procédés CMP (Planarisation Chimico-Mécanique)

  • Systèmes de polissage de plaquettes

  • Équipement de fabrication de semi-conducteurs

  • Manipulation et fixation de plaquettes de précision


Avantages techniques

  • Porosité contrôlée pour des performances de vide optimisées

  • Haute résistance mécanique malgré la structure poreuse

  • Stabilité thermique dans les conditions de processus

  • Compatible avec les environnements ultra-propres et sous vide


Options de personnalisation

Nous fournissons des mandrins à vide CMP entièrement personnalisés :

  • Contrôle de la taille des pores et de la porosité

  • Diamètre et épaisseur

  • Spécifications de planéité de surface

  • Conception du canal de vide

  • Intégration avec l'équipement CMP


Localized Title (US)

Fournisseur de mandrins à vide en alumine poreuse pour CMP aux États-Unis | Solutions pour plaquettes semi-conductrices

Extrait de contenu localisé

Nous fournissons des mandrins à vide en céramique d'alumine poreuse de haute précision pour les applications CMP aux fabricants de semi-conducteurs aux États-Unis. Conçus pour le traitement avancé des wafers, nos produits garantissent une aspiration uniforme, une faible contamination et une haute fiabilité.

Support technique et livraison rapide à l'échelle mondiale disponibles.


🔹 CTA

  • Demander un devis pour un mandrin à vide pour CMP

  • Obtenir une conception de porosité personnalisée

  • Contactez notre équipe d'ingénierie des semi-conducteurs


Tableau des caractéristiques du matériau

Type
Unité
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Matériau
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Couleur
-
Ivoire blancBlanc
Blanc Ivoire
Blanc
Densité
g/cm³
3,75
3,9
3,92
4,2
Résistance à la flexion
MPa
280
320
370
480
Résistance à la compression
MPa
2250
2300
2450
2700
Modules d'élasticité
GPa
330
370
380
350
Dureté à la fracture
MPa·m^½
3
4
4,5
5.5
Coefficient de Poisson

0.23
0,22
0.22
0.24
Dureté
HRA
90
91
91
91
Dureté Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Dilatation thermique
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6,8
9.2
Conductivité thermique
W/m·K
25
32
32
8
Choc thermique
ΔT·℃
200
220
220
470
Temp. max. utilisation (oxydant)

1200
1400
1650
1000
Temp. Max. Utilisation (Réduction)

1200
1400
1700
1000
Résistivité volumique (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Résistance diélectrique
kV/mm
16
20
22
16,5
Constante diélectrique (1 MHz)
-11.5111011
Perte diélectrique (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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