Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse de haute pureté pour les procédés CMP. Succion uniforme, faible contamination et planéité supérieure pour les applications de polissage de précision des tranches.
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Aperçu du produit
Le Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP est un composant conçu avec précision pour la fixation des plaquettes lors des processus de planarisation mécano-chimique (CMP). Fabriqué à partir d'alumine poreuse de haute pureté (Al₂O₃), il assure une distribution uniforme du vide, une excellente planéité et une contamination ultra-faible, garantissant un polissage stable et précis des plaquettes.
Caractéristiques principales
1. Alumine de haute pureté (≥ 99 %)
Minimise le risque de contamination dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.
2. Structure poreuse uniforme
Assure une distribution uniforme du vide pour un maintien stable de la tranche et une meilleure cohérence du polissage.
3. Planéité et précision de surface
Prend en charge le positionnement précis du wafer et l'élimination uniforme du matériau pendant la CMP.
4. Faible génération de particules
Critique pour le maintien du rendement dans les processus avancés de semi-conducteurs.
5. Résistance chimique
Résistant aux boues CMP et aux produits chimiques agressifs.
Applications
procédés CMP (Planarisation Chimico-Mécanique)
Systèmes de polissage de plaquettes
Équipement de fabrication de semi-conducteurs
Manipulation et fixation de plaquettes de précision
Avantages techniques
Porosité contrôlée pour des performances de vide optimisées
Haute résistance mécanique malgré la structure poreuse
Stabilité thermique dans les conditions de processus
Compatible avec les environnements ultra-propres et sous vide
Options de personnalisation
Nous fournissons des mandrins à vide CMP entièrement personnalisés :
Contrôle de la taille des pores et de la porosité
Diamètre et épaisseur
Spécifications de planéité de surface
Conception du canal de vide
Intégration avec l'équipement CMP
Localized Title (US)
Fournisseur de mandrins à vide en alumine poreuse pour CMP aux États-Unis | Solutions pour plaquettes semi-conductrices
Extrait de contenu localisé
Nous fournissons des mandrins à vide en céramique d'alumine poreuse de haute précision pour les applications CMP aux fabricants de semi-conducteurs aux États-Unis. Conçus pour le traitement avancé des wafers, nos produits garantissent une aspiration uniforme, une faible contamination et une haute fiabilité.
Support technique et livraison rapide à l'échelle mondiale disponibles.
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| Type | Unité | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Matériau | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Couleur | - | Ivoire blanc | Blanc | Blanc Ivoire | Blanc |
| Densité | g/cm³ | 3,75 | 3,9 | 3,92 | 4,2 |
| Résistance à la flexion | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Résistance à la compression | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Modules d'élasticité | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Dureté à la fracture | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4,5 | 5.5 |
| Coefficient de Poisson | — | 0.23 | 0,22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureté | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureté Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Dilatation thermique | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6,8 | 9.2 |
| Conductivité thermique | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choc thermique | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. max. utilisation (oxydant) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Max. Utilisation (Réduction) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Résistivité volumique (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Résistance diélectrique | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16,5 |
| Constante diélectrique (1 MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Perte diélectrique (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
