Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
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Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Personnalisation:
Disponible
Conditions de Paiement:
LC, T/T
OEM/ODM:
disponible
Détails du produit
Pièces jointes
FAQ
Détails essentiels
Expédition:快递
numéro de spécification:SN001Al2O3006
Introduction du produit

Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté


Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse de haute pureté pour les processus CMP. aspiration uniforme, faible contamination et planéité supérieure pour des applications de polissage de plaquettes de précision.


🔹 Mots-clés Principaux

  • mot-clé principal : mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse

  • mots-clés secondaires :

    • Mandrin à vide CMP

    • mandrin à vide en céramique pour plaquette

    • mandrin en céramique poreuse pour le polissage de wafers

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    • mandrin de maintien de plaquette semi-conductrice


Aperçu du produit

Le Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP est un composant conçu avec précision pour la fixation des plaquettes pendant les processus de Planarisation Mécanique Chimique (CMP). Fabriqué à partir d'alumine poreuse de haute pureté (Al₂O₃), il offre une distribution de vide uniforme, une excellente planéité et une contamination ultra-faible, garantissant un polissage stable et précis des plaquettes.


Caractéristiques clés

1. Alumine de haute pureté (≥ 99%)
Minimise le risque de contamination dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

2. Structure Poreuse Uniforme
Assure une distribution uniforme du vide pour un maintien stable de la plaquette et une amélioration de la cohérence du polissage.

3. Planéité & Précision de Surface
Prend en charge le positionnement précis des wafers et l'élimination uniforme du matériau pendant le CMP.

4. Faible génération de particules
Critique pour maintenir le rendement dans les processus avancés de semi-conducteurs.

5. Résistance chimique
Résistant aux boues CMP et aux produits chimiques agressifs.


Applications

  • procédés CMP (Planarisation Chimico-Mécanique)

  • Systèmes de polissage de plaquettes

  • Équipement de fabrication de semi-conducteurs

  • Manipulation et fixation de plaquettes de précision


Avantages techniques

  • Porosité contrôlée pour des performances de vide optimisées

  • Haute résistance mécanique malgré la structure poreuse

  • Stabilité thermique sous conditions de processus

  • Compatible avec des environnements ultra-propres et sous vide


Options de personnalisation

Nous fournissons des mandrins à vide CMP entièrement personnalisés :

  • Taille des pores et contrôle de la porosité

  • Diamètre et épaisseur

  • Spécifications de planéité de surface

  • Conception de canal sous vide

  • Intégration avec l'équipement CMP


Titre Localisé (US)

Fournisseur de Mandrin Sous Vide en Alumine Poreuse aux États-Unis | Solutions de Plaque de Semi-conducteur

Extrait de contenu localisé

Nous fournissons des mandrins sous vide en céramique d'alumine poreuse de haute précision pour les applications CMP aux fabricants de semi-conducteurs à travers les États-Unis. Conçus pour un traitement avancé des wafers, nos produits garantissent une aspiration uniforme, une faible contamination et une haute fiabilité.

Support technique et livraison mondiale rapide disponibles.


🔹 CTA

  • Demander un Devis pour Mandrin Sous Vide CMP

  • Obtenir une conception de porosité personnalisée

  • Contactez notre équipe d'ingénierie des semi-conducteurs


Tableau des caractéristiques des matériaux

Type 
Unité
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Matériau
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Couleur
-
Ivoire blancBlanc
Blanc Ivoire
Blanc
Densité
g/cm³
3,75
3,9
3,92
4,2
Résistance à la flexion
MPa
280
320
370
480
Résistance à la compression
MPa
2250
2300
2450
2700
Module d'élasticité
GPa
330
370
380
350
Tenacité à la rupture
MPa·m^½
3
4
4,5
5.5
Coefficient de Poisson

0.23
0,22
0.22
0.24
Dureté
HRA
90
91
91
91
Dureté Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Expansion thermique
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6,8
9.2
Conductivité Thermique
W/m·K
25
32
32
8
Choc thermique
ΔT·℃
200
220
220
470
Temp. max. utilisation (oxydant)

1200
1400
1650
1000
Température d'utilisation max (réduction)

1200
1400
1700
1000
Résistivité volumique (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Rigidité Diélectrique
kV/mm
16
20
22
16,5
Constante diélectrique (1 MHz)
-11.5111011
Perte Diélectrique (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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