Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse de haute pureté pour les processus CMP. aspiration uniforme, faible contamination et planéité supérieure pour des applications de polissage de plaquettes de précision.
🔹 Mots-clés Principaux
mot-clé principal : mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse
mots-clés secondaires :
Mandrin à vide CMP
mandrin à vide en céramique pour plaquette
mandrin en céramique poreuse pour le polissage de wafers
plaque sous vide en alumine de haute pureté
mandrin de maintien de plaquette semi-conductrice
Aperçu du produit
Le Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP est un composant conçu avec précision pour la fixation des plaquettes pendant les processus de Planarisation Mécanique Chimique (CMP). Fabriqué à partir d'alumine poreuse de haute pureté (Al₂O₃), il offre une distribution de vide uniforme, une excellente planéité et une contamination ultra-faible, garantissant un polissage stable et précis des plaquettes.
Caractéristiques clés
1. Alumine de haute pureté (≥ 99%)
Minimise le risque de contamination dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.
2. Structure Poreuse Uniforme
Assure une distribution uniforme du vide pour un maintien stable de la plaquette et une amélioration de la cohérence du polissage.
3. Planéité & Précision de Surface
Prend en charge le positionnement précis des wafers et l'élimination uniforme du matériau pendant le CMP.
4. Faible génération de particules
Critique pour maintenir le rendement dans les processus avancés de semi-conducteurs.
5. Résistance chimique
Résistant aux boues CMP et aux produits chimiques agressifs.
Applications
procédés CMP (Planarisation Chimico-Mécanique)
Systèmes de polissage de plaquettes
Équipement de fabrication de semi-conducteurs
Manipulation et fixation de plaquettes de précision
Avantages techniques
Porosité contrôlée pour des performances de vide optimisées
Haute résistance mécanique malgré la structure poreuse
Stabilité thermique sous conditions de processus
Compatible avec des environnements ultra-propres et sous vide
Options de personnalisation
Nous fournissons des mandrins à vide CMP entièrement personnalisés :
Taille des pores et contrôle de la porosité
Diamètre et épaisseur
Spécifications de planéité de surface
Conception de canal sous vide
Intégration avec l'équipement CMP
Titre Localisé (US)
Fournisseur de Mandrin Sous Vide en Alumine Poreuse aux États-Unis | Solutions de Plaque de Semi-conducteur
Extrait de contenu localisé
Nous fournissons des mandrins sous vide en céramique d'alumine poreuse de haute précision pour les applications CMP aux fabricants de semi-conducteurs à travers les États-Unis. Conçus pour un traitement avancé des wafers, nos produits garantissent une aspiration uniforme, une faible contamination et une haute fiabilité.
Support technique et livraison mondiale rapide disponibles.
🔹 CTA
Demander un Devis pour Mandrin Sous Vide CMP
Obtenir une conception de porosité personnalisée
Contactez notre équipe d'ingénierie des semi-conducteurs
| Type | Unité | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Matériau | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Couleur | - | Ivoire blanc | Blanc | Blanc Ivoire | Blanc |
| Densité | g/cm³ | 3,75 | 3,9 | 3,92 | 4,2 |
| Résistance à la flexion | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Résistance à la compression | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Module d'élasticité | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacité à la rupture | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4,5 | 5.5 |
| Coefficient de Poisson | — | 0.23 | 0,22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureté | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureté Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansion thermique | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6,8 | 9.2 |
| Conductivité Thermique | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choc thermique | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. max. utilisation (oxydant) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Température d'utilisation max (réduction) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Résistivité volumique (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Rigidité Diélectrique | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16,5 |
| Constante diélectrique (1 MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Perte Diélectrique (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

