Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
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Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Personnalisation:
Disponible
Conditions de Paiement:
LC, T/T
OEM/ODM:
disponible
Détails du produit
Pièces jointes
FAQ
Détails essentiels
Expédition:快递
numéro de spécification:SN001Al2O3006
Introduction du produit

Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté


Mandrin à vide en céramique poreuse de haute pureté pour les processus CMP. aspiration uniforme, faible contamination et planéité supérieure pour des applications de polissage de plaquettes de précision.


🔹 Mots-clés Principaux

  • mot-clé principal : mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse

  • mots-clés secondaires :

    • Mandrin sous vide CMP

    • mandrin à vide en céramique pour plaquette

    • mandrin en céramique poreuse pour le polissage de plaquettes

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    • mandrin de maintien de plaquette semi-conductrice


Présentation du produit

Le Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP est un composant conçu avec précision pour la fixation des plaquettes pendant les processus de Planarisation Mécanique Chimique (CMP). Fabriqué à partir d'alumine poreuse de haute pureté (Al₂O₃), il offre une distribution de vide uniforme, une excellente planéité et une contamination ultra-faible, garantissant un polissage stable et précis des plaquettes.


Caractéristiques clés

1. Alumine de haute pureté (≥ 99%)
Minimise le risque de contamination dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

2. Structure Poreuse Uniforme
Assure une distribution uniforme du vide pour un maintien stable de la plaquette et une meilleure cohérence de polissage.

3. Planéité & Précision de Surface
Permet un positionnement précis de la plaquette et un retrait uniforme du matériau pendant la CMP.

4. Faible génération de particules
Crucial pour maintenir le rendement dans les processus avancés de semi-conducteurs.

5. Résistance chimique
Résistant aux boues CMP et aux produits chimiques agressifs.


Applications

  • procédés CMP (Planarisation Chimico-Mécanique)

  • Systèmes de polissage de plaquettes

  • Équipement de fabrication de semi-conducteurs

  • Manipulation et fixation de plaquettes de précision


Avantages techniques

  • Porosité contrôlée pour des performances optimisées sous vide

  • Haute résistance mécanique malgré la structure poreuse

  • Stabilité thermique sous conditions de processus

  • Compatible avec les environnements ultra-propres et sous vide


Options de personnalisation

Nous fournissons des mandrins sous vide CMP entièrement personnalisés :

  • Taille des pores et contrôle de la porosité

  • Diamètre et épaisseur

  • Spécifications de planéité de surface

  • Conception du canal de vide

  • Intégration avec l'équipement CMP


Titre Localisé (US)

Fournisseur de Mandrin à Vide en Alumine Poreuse CMP aux États-Unis | Solutions de Plaque de Semiconducteur

Extrait de contenu localisé

Nous fournissons des mandrins à vide en céramique d'alumine poreuse de haute précision pour les applications CMP aux fabricants de semi-conducteurs aux États-Unis. Conçus pour le traitement avancé des plaquettes, nos produits garantissent une aspiration uniforme, une faible contamination et une fiabilité élevée.

Support technique et livraison mondiale rapide disponibles.


🔹 CTA

  • Demander un Devis pour Mandrin à Vide CMP

  • Obtenir une conception de porosité personnalisée

  • Contactez notre équipe d'ingénierie des semi-conducteurs


Tableau des caractéristiques du matériau

Type
Unité
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Matériau
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Couleur
-
Ivoire blancBlanc
Blanc Ivoire
Blanc
Densité
g/cm³
3,75
3,9
3,92
4,2
Résistance à la flexion
MPa
280
320
370
480
Résistance à la compression
MPa
2250
2300
2450
2700
Modules d'élasticité
GPa
330
370
380
350
Dureté à la fracture
MPa·m^½
3
4
4,5
5.5
Coefficient de Poisson

0.23
0,22
0.22
0.24
Dureté
HRA
90
91
91
91
Dureté Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Expansion thermique
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6,8
9.2
Conductivité thermique
W/m·K
25
32
32
8
Choc thermique
ΔT·℃
200
220
220
470
Temp. max. utilisation (oxydant)

1200
1400
1650
1000
Température d'utilisation max (réduction)

1200
1400
1700
1000
Résistivité volumique (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Résistance diélectrique
kV/mm
16
20
22
16,5
Constante diélectrique (1MHz)
-11.5111011
Perte diélectrique (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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