Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP | Solution de maintien de plaquettes de haute pureté
Mandrin à vide en céramique poreuse de haute pureté pour les processus CMP. aspiration uniforme, faible contamination et planéité supérieure pour des applications de polissage de plaquettes de précision.
🔹 Mots-clés Principaux
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Présentation du produit
Le Mandrin à vide en céramique d'alumine poreuse pour CMP est un composant conçu avec précision pour la fixation des plaquettes pendant les processus de Planarisation Mécanique Chimique (CMP). Fabriqué à partir d'alumine poreuse de haute pureté (Al₂O₃), il offre une distribution de vide uniforme, une excellente planéité et une contamination ultra-faible, garantissant un polissage stable et précis des plaquettes.
Caractéristiques clés
1. Alumine de haute pureté (≥ 99%)
Minimise le risque de contamination dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.
2. Structure Poreuse Uniforme
Assure une distribution uniforme du vide pour un maintien stable de la plaquette et une meilleure cohérence de polissage.
3. Planéité & Précision de Surface
Permet un positionnement précis de la plaquette et un retrait uniforme du matériau pendant la CMP.
4. Faible génération de particules
Crucial pour maintenir le rendement dans les processus avancés de semi-conducteurs.
5. Résistance chimique
Résistant aux boues CMP et aux produits chimiques agressifs.
Applications
procédés CMP (Planarisation Chimico-Mécanique)
Systèmes de polissage de plaquettes
Équipement de fabrication de semi-conducteurs
Manipulation et fixation de plaquettes de précision
Avantages techniques
Porosité contrôlée pour des performances optimisées sous vide
Haute résistance mécanique malgré la structure poreuse
Stabilité thermique sous conditions de processus
Compatible avec les environnements ultra-propres et sous vide
Options de personnalisation
Nous fournissons des mandrins sous vide CMP entièrement personnalisés :
Taille des pores et contrôle de la porosité
Diamètre et épaisseur
Spécifications de planéité de surface
Conception du canal de vide
Intégration avec l'équipement CMP
Titre Localisé (US)
Fournisseur de Mandrin à Vide en Alumine Poreuse CMP aux États-Unis | Solutions de Plaque de Semiconducteur
Extrait de contenu localisé
Nous fournissons des mandrins à vide en céramique d'alumine poreuse de haute précision pour les applications CMP aux fabricants de semi-conducteurs aux États-Unis. Conçus pour le traitement avancé des plaquettes, nos produits garantissent une aspiration uniforme, une faible contamination et une fiabilité élevée.
Support technique et livraison mondiale rapide disponibles.
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| Type | Unité | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Matériau | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Couleur | - | Ivoire blanc | Blanc | Blanc Ivoire | Blanc |
| Densité | g/cm³ | 3,75 | 3,9 | 3,92 | 4,2 |
| Résistance à la flexion | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Résistance à la compression | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Modules d'élasticité | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Dureté à la fracture | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4,5 | 5.5 |
| Coefficient de Poisson | — | 0.23 | 0,22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureté | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureté Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansion thermique | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6,8 | 9.2 |
| Conductivité thermique | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choc thermique | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. max. utilisation (oxydant) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Température d'utilisation max (réduction) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Résistivité volumique (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Résistance diélectrique | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16,5 |
| Constante diélectrique (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Perte diélectrique (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

