イオン注入装置用アルミナセラミック部品 | 高純度半導体部品
イオン注入装置用の高純度アルミナセラミック部品。半導体製造環境における優れた電気絶縁性、熱安定性、およびプラズマ耐性。
アルミナセラミックイオン注入部品
半導体セラミック部品
イオン注入装置用セラミック部品
高純度アルミナ半導体部品
真空システム用セラミック部品
プラズマ耐性セラミック部品
製品概要
イオン注入装置用アルミナセラミック部品は、半導体製造システムで使用される精密工学部品です。高純度アルミナ(Al₂O₃)製で、優れた電気絶縁性、熱安定性、プラズマおよび真空環境への耐性を備え、高度な半導体プロセスにおける信頼性の高い性能を保証します。
主な特徴
1. 高純度アルミナ (≥99%)
汚染を最小限に抑え、厳格な半導体清浄度基準を満たします。
2. 優れた電気絶縁性
高電圧イオン注入システムでの安定動作をサポートします。
3. プラズマ・真空適合性
プラズマ暴露に耐性があり、超高真空環境に適しています。
4. 熱安定性
温度変動下でも寸法安定性を維持します。
5. 低パーティクル発生
ウェーハ収量とプロセス信頼性を維持するために不可欠です。
用途
イオン注入システム
半導体ウェーハ加工装置
真空・プラズマ処理チャンバー
高電圧絶縁部品
高精度半導体工具
技術的利点
非金属・非磁性材料
高い絶縁破壊強度
反応性環境下での耐食性
クリーンルームおよび半導体ファブに適しています
カスタマイズオプション
装置統合のための複雑な形状
高精度加工と厳しい公差
低パーティクル発生のための表面仕上げ
半導体装置の要件に基づくカスタムデザイン
ローカライズされたタイトル (米国)
イオン注入装置用アルミナセラミック部品 | 米国半導体サプライヤー
ローカライズされたコンテンツスニペット
米国全土の半導体メーカーに、イオン注入システム用の高純度アルミナセラミック部品を供給しています。当社の部品は、高度なウェーハ処理環境における真空適合性、プラズマ耐性、および精密な性能のために設計されています。
エンジニアリングサポートとグローバル配送が可能です。
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| タイプ | 単位 | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| 材質 | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| 色 | - | 白象牙 | ホワイト | アイボリーホワイト | ホワイト |
| 密度 | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| 曲げ強度 | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| 圧縮強度 | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| 弾性率 | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| 破壊靭性 | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| ポアソン比 | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| 硬度 | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| ビッカース硬さ | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| 熱膨張率 | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| 熱伝導率 | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| 熱衝撃 | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| 最大使用温度 (酸化雰囲気) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| 最高使用温度(還元雰囲気) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| 体積抵抗率 (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| 絶縁破壊強度 | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| 誘電率 (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| 誘電正接 (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
