イオン注入装置用アルミナセラミック部品 | 高純度半導体部品
イオン注入装置用高純度アルミナセラミック部品。半導体製造環境において、優れた電気絶縁性、熱安定性、プラズマ耐性を発揮します。
アルミナセラミックイオン注入部品
半導体セラミック部品
イオン注入装置用セラミック部品
高純度アルミナ半導体部品
真空システム用セラミック部品
プラズマ耐性セラミック部品
製品概要
アルミナセラミック部品は、半導体製造システムで使用される精密に設計されたコンポーネントです。高純度のアルミナ(Al₂O₃)から作られ、これらのコンポーネントは優れた電気絶縁性、熱安定性、プラズマおよび真空環境への耐性を提供し、高度な半導体プロセスにおいて信頼性のある性能を確保します。
主な特徴
1. 高純度アルミナ (≥99%)
汚染を最小限に抑え、厳格な半導体清浄度基準を満たします。
2. 優れた電気絶縁性
高電圧イオン注入システムでの安定動作をサポートします。
3. プラズマ・真空適合性
プラズマ曝露に耐性があり、超高真空環境に適しています。
4. 熱安定性
温度変動下でも寸法安定性を維持します。
5. 低パーティクル発生
ウェーハ収率とプロセス信頼性の維持に不可欠です。
用途
イオン注入システム
半導体ウェハ処理装置
真空・プラズマ処理チャンバー
高電圧絶縁部品
高精度半導体工具
技術的利点
非金属・非磁性材料
高い誘電強度
反応性環境下での耐食性
クリーンルームおよび半導体ファブに適しています
カスタマイズオプション
装置統合のための複雑な形状
高精度加工と厳しい公差
低パーティクル発生のための表面仕上げ
半導体装置の要件に基づいたカスタム設計
ローカライズされたタイトル (米国)
イオン注入装置用アルミナセラミック部品 | 米国半導体サプライヤー
ローカライズされたコンテンツスニペット
当社は、米国の半導体メーカー向けに、イオン注入システム用の高純度アルミナセラミック部品を供給しています。当社の部品は、高度なウェーハ処理環境において、真空適合性、プラズマ耐性、および精密な性能を発揮するように設計されています。
エンジニアリングサポートおよびグローバルデリバリーをご利用いただけます。
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| タイプ | 単位 | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| 材質 | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| 色 | - | ホワイトアイボリー | ホワイト | アイボリーホワイト | ホワイト |
| 密度 | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| 曲げ強度 | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| 圧縮強度 | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| 弾性モジュラス | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| 破壊靭性 | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| ポアソン比 | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| 硬度 | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| ビッカース硬度 | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| 熱膨張 | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| 熱伝導率 | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| 熱衝撃 | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| 最大使用温度 (酸化雰囲気) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| 最大使用温度(低減) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| 体積抵抗率 (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| 絶縁破壊強度 | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| 誘電率 (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| 誘電正接 (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
