CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャック | 高純度ウェハー保持ソリューション
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CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャック | 高純度ウェーハ保持ソリューション
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配送方法:快递
規格番号:SN001Al2O3006
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CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャック | 高純度ウェーハ保持ソリューション


CMPプロセス用の高純度多孔質アルミナセラミック真空チャック。均一な吸引、低汚染、精密ウエハ研磨アプリケーションのための優れた平坦性。


🔹 コアキーワード

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    • 半導体ウエハホールディングチャック


製品概要

そのCMP用多孔質アルミナセラミック真空チャックは、化学機械平坦化(CMP)プロセス中のウエハー固定のために設計された精密エンジニアリングコンポーネントです。高純度の多孔質アルミナ(Al₂O₃)から製造されており、均一な真空分布、優れた平坦性、超低汚染を提供し、安定した正確なウエハー研磨を保証します。


主な特徴

1. 高純度アルミナ (≥ 99%)
半導体製造環境における汚染リスクを最小限に抑えます。

2. 均一な多孔質構造
安定したウエハ保持と改善された研磨の一貫性のために均一な真空分布を確保します。

平坦性と表面精度
CMP中の正確なウェーハ位置決めと均一な材料除去をサポートします。

4. 低パーティクル発生
先進的な半導体プロセスにおける歩留まり維持に不可欠です。

5. 化学抵抗
CMPスラリーや攻撃的な化学薬品に耐性があります。


アプリケーション

  • CMP (化学機械研磨) プロセス

  • ウエハー研磨システム

  • 半導体製造装置

  • 高精度ウェーハハンドリングと固定


技術的利点

  • 最適化された真空性能のための制御された多孔性

  • 多孔質構造にもかかわらず高い機械的強度

  • プロセス条件下での熱安定性

  • 超クリーンおよび真空環境との互換性


カスタマイズオプション

完全にカスタマイズされたCMP真空チャックを提供します:

  • 孔径と多孔性の制御

  • 直径と厚さ

  • 表面平坦度仕様

  • 真空チャネル設計

  • CMP装置との統合


ローカライズされたタイトル(米国)

米国の多孔質アルミナCMP真空チャックサプライヤー | 半導体ウエハーソリューション

ローカライズされたコンテンツスニペット

米国全土の半導体メーカーに、CMP用途向けの超高精度多孔質アルミナセラミック真空チャックを供給しています。先進的なウェーハ加工向けに設計された当社の製品は、均一な吸引力、低汚染、高信頼性を保証します。

エンジニアリングサポートと迅速なグローバル配送が利用可能です。


🔹 CTA

  • CMP真空チャックの見積もりをリクエスト

  • カスタム多孔度設計を取得

  • 半導体エンジニアリングチームにお問い合わせください


材料特性表

タイプ
単位
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
材質
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99.5%
Al₂O₃ 99.7%
Al₂O₃‑ZrO₂

-
白象牙色
アイボリーホワイト

密度
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
曲げ強度
MPa
280
320
370
480
圧縮強度
MPa
2250
2300
2450
2700
弾性モジュール
GPa
330
370
380
350
破壊靭性
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
ポアソン比

0.23
0.22
0.22
0.24
硬度
HRA
90
91
91
91
ビッカース硬度
HV1
1450
1550
1600
1600
熱膨張
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
熱伝導率
W/m·K
25
32
32
8
熱衝撃
ΔT·℃
200
220
220
470
最高使用温度 (酸化雰囲気)

1200
1400
1650
1000
最大使用温度(低下)

1200
1400
1700
1000
体積抵抗率 (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
誘電強度
kV/mm
16
20
22
16.5
誘電率 (1MHz)
-11.5111011
誘電損失 (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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