CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャック | 高純度ウェーハ保持ソリューション
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CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャック | 高純度ウェーハ保持ソリューション
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配送方法:快递
規格番号:SN001Al2O3006
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CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャック | 高純度ウェーハ保持ソリューション


CMPプロセス用の高純度多孔質アルミナセラミック真空チャック。精密ウェハー研磨用途向けに、均一な吸引、低汚染、優れた平面度を実現します。


🔹 コアキーワード

  • メインキーワード: 多孔質アルミナセラミック真空チャック

  • 二次キーワード:

    • CMP真空チャック

    • セラミックウェハー真空チャック

    • ウェーハ研磨用多孔質セラミックチャック

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    • 半導体ウェハー保持チャック


製品概要

CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャックは、化学機械研磨 (CMP) プロセス中のウェーハ固定用に精密設計されたコンポーネントです。高純度多孔質アルミナ (Al₂O₃) から製造されており、均一な真空分布、優れた平坦度、超低汚染を提供し、安定した正確なウェーハ研磨を保証します。


主な特徴

1. 高純度アルミナ (≥ 99%)
半導体製造環境における汚染リスクを最小限に抑えます。

2. 均一な多孔質構造
安定したウェハー保持と研磨の一貫性向上のため、均一な真空分布を保証します。

3. 平坦度と表面精度
CMP中の正確なウェーハ位置決めと均一な材料除去をサポートします。

4. 低パーティクル発生
先進的な半導体プロセスにおける歩留まり維持に不可欠です。

5. 耐薬品性
CMPスラリーおよび攻撃的な化学薬品に耐性があります。


用途

  • CMP (化学機械研磨) プロセス

  • ウェーハ研磨システム

  • 半導体製造装置

  • 高精度ウェーハハンドリングおよび固定


技術的利点

  • 最適化された真空性能のための制御された細孔率

  • 多孔質構造にもかかわらず高い機械的強度

  • プロセス条件下での熱安定性

  • 超クリーンおよび真空環境との互換性


カスタマイズオプション

完全カスタマイズされたCMP真空チャックを提供します:

  • 細孔径と細孔率の制御

  • 直径と厚さ

  • 表面平坦度仕様

  • 真空チャネル設計

  • CMP装置との統合


ローカライズタイトル (米国)

米国における多孔質アルミナCMPバキュームチャックサプライヤー | 半導体ウェーハソリューション

ローカライズされたコンテンツスニペット

米国全土の半導体メーカーに、CMP用途向けの超高精度多孔質アルミナセラミック真空チャックを供給しています。先進的なウェーハ加工向けに設計された当社の製品は、均一な吸引力、低汚染、高信頼性を保証します。

エンジニアリングサポートと迅速なグローバル配送が可能です。


🔹 CTA

  • CMPバキュームチャックの見積もりを依頼する

  • カスタム多孔度設計の取得

  • 半導体エンジニアリングチームにお問い合わせください


材料特性表

タイプ
単位
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
材質
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99.5%
Al₂O₃ 99.7%
Al₂O₃‑ZrO₂

-
白象牙色
アイボリーホワイト

密度
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
曲げ強度
MPa
280
320
370
480
圧縮強度
MPa
2250
2300
2450
2700
弾性率
GPa
330
370
380
350
破壊靭性
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
ポアソン比

0.23
0.22
0.22
0.24
硬度
HRA
90
91
91
91
ビッカース硬度
HV1
1450
1550
1600
1600
熱膨張
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
熱伝導率
W/m·K
25
32
32
8
熱衝撃
ΔT·℃
200
220
220
470
最高使用温度 (酸化雰囲気)

1200
1400
1650
1000
最大使用温度 (還元雰囲気)

1200
1400
1700
1000
体積抵抗率 (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
絶縁破壊強度
kV/mm
16
20
22
16.5
誘電率 (1MHz)
-11.5111011
誘電正接 (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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