CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャック | 高純度ウェーハ保持ソリューション
CMPプロセス用の高純度多孔質アルミナセラミック真空チャック。精密ウェハー研磨用途向けに、均一な吸引、低汚染、優れた平面度を実現します。
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CMP真空チャック
セラミックウェハー真空チャック
ウェーハ研磨用多孔質セラミックチャック
高純度アルミナ真空プレート
半導体ウェハー保持チャック
製品概要
ザ CMP用多孔質アルミナセラミック真空チャックは、化学機械研磨 (CMP) プロセス中のウェーハ固定用に精密設計されたコンポーネントです。高純度多孔質アルミナ (Al₂O₃) から製造されており、均一な真空分布、優れた平坦度、超低汚染を提供し、安定した正確なウェーハ研磨を保証します。
主な特徴
1. 高純度アルミナ (≥ 99%)
半導体製造環境における汚染リスクを最小限に抑えます。
2. 均一な多孔質構造
安定したウェハー保持と研磨の一貫性向上のため、均一な真空分布を保証します。
3. 平坦度と表面精度
CMP中の正確なウェーハ位置決めと均一な材料除去をサポートします。
4. 低パーティクル発生
先進的な半導体プロセスにおける歩留まり維持に不可欠です。
5. 耐薬品性
CMPスラリーおよび攻撃的な化学薬品に耐性があります。
用途
CMP (化学機械研磨) プロセス
ウェーハ研磨システム
半導体製造装置
高精度ウェーハハンドリングおよび固定
技術的利点
最適化された真空性能のための制御された細孔率
多孔質構造にもかかわらず高い機械的強度
プロセス条件下での熱安定性
超クリーンおよび真空環境との互換性
カスタマイズオプション
完全カスタマイズされたCMP真空チャックを提供します:
細孔径と細孔率の制御
直径と厚さ
表面平坦度仕様
真空チャネル設計
CMP装置との統合
ローカライズタイトル (米国)
米国における多孔質アルミナCMPバキュームチャックサプライヤー | 半導体ウェーハソリューション
ローカライズされたコンテンツスニペット
米国全土の半導体メーカーに、CMP用途向けの超高精度多孔質アルミナセラミック真空チャックを供給しています。先進的なウェーハ加工向けに設計された当社の製品は、均一な吸引力、低汚染、高信頼性を保証します。
エンジニアリングサポートと迅速なグローバル配送が可能です。
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| タイプ | 単位 | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| 材質 | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99.5% | Al₂O₃ 99.7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| 色 | - | 白象牙色 | 白 | アイボリーホワイト | 白 |
| 密度 | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| 曲げ強度 | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| 圧縮強度 | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| 弾性率 | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| 破壊靭性 | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| ポアソン比 | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| 硬度 | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| ビッカース硬度 | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| 熱膨張 | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| 熱伝導率 | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| 熱衝撃 | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| 最高使用温度 (酸化雰囲気) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| 最大使用温度 (還元雰囲気) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| 体積抵抗率 (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| 絶縁破壊強度 | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| 誘電率 (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| 誘電正接 (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

