Poröse Aluminiumoxid-Keramik-Vakuumspannplatte für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
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Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
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Spezifikationsnummer:SN0010006
Produkteinführung

Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung


Hochreiner poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP-Prozesse. Gleichmäßige Absaugung, geringe Kontamination und überlegene Ebenheit für Präzisions-Wafer-Polieranwendungen.


🔹 Kern-Schlüsselwörter

  • Hauptschlüsselwort: poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck

  • sekundäre Schlüsselwörter:

    • CMP-Vakuum-Chuck

    • Keramik-Wafer-Vakuum-Chuck

    • poröses Keramik-Spannfutter für Wafer-Polieren

    • Hochreine Aluminiumoxid-Vakuumplatte

    • Halbleiter-Wafer-Halte-Chuck


Produktübersicht

Die Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP ist eine präzisionsgefertigte Komponente, die für die Waferfixierung während chemisch-mechanischer Planarisierungs (CMP)-Prozesse entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem porösem Aluminiumoxid (Al₂O₃), bietet es eine gleichmäßige Vakuumverteilung, hervorragende Ebenheit und extrem geringe Kontamination, um ein stabiles und genaues Polieren der Wafer zu gewährleisten.


Hauptmerkmale

1. Hochreines Aluminiumoxid (≥ 99%)
Minimiert das Kontaminationsrisiko in Halbleiterfertigungsumgebungen.

2. Einheitliche poröse Struktur
Gewährleistet eine gleichmäßige Vakuumverteilung für stabile Waferhaltung und verbesserte Polierkonsistenz.

3. Ebenheit & Oberflächengenauigkeit
Unterstützt präzise Wafer-Positionierung und gleichmäßige Materialabtragung während CMP.

4. Geringe Partikelgenerierung
Entscheidend für die Aufrechterhaltung des Ertrags bei fortschrittlichen Halbleiterprozessen.

5. Chemische Beständigkeit
Beständig gegen CMP-Slurries und aggressive Chemikalien.


Anwendungen

  • CMP (chemisch-mechanische Planarisierungs)-Prozesse

  • Wafer-Poliersysteme

  • Ausrüstung für die Halbleiterfertigung

  • Präzise Wafer-Handhabung und -Fixierung


Technische Vorteile

  • Kontrollierte Porosität für optimierte Vakuumleistung

  • Hohe mechanische Festigkeit trotz poröser Struktur

  • Thermische Stabilität unter Prozessbedingungen

  • Kompatibel mit ultrareinen und Vakuumumgebungen


Anpassungsoptionen

Wir bieten voll individualisierte CMP-Vakuum-Chucks an:

  • Porengröße und Porositätskontrolle

  • Durchmesser und Dicke

  • Spezifikationen für Oberflächenebene

  • Vakuumkanaldesign

  • Integration mit CMP-Ausrüstung


Lokalisierter Titel (US)

Lieferant für poröse Aluminiumoxid-CMP-Vakuum-Spannfutter in den USA | Halbleiter-Wafer-Lösungen

Lokalisierter Inhaltsausschnitt

Wir liefern hochpräzise poröse Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Spannfutter für CMP-Anwendungen an Halbleiterhersteller in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere Produkte sind für fortschrittliche Wafer-Bearbeitungsprozesse konzipiert und gewährleisten gleichmäßige Absaugung, geringe Kontamination und hohe Zuverlässigkeit.

Technischer Support und schnelle weltweite Lieferung verfügbar.


🔹 CTA

  • Angebot für CMP-Vakuum-Spannfutter anfordern

  • Benutzerdefiniertes Porositätsdesign erhalten

  • Kontaktieren Sie unser Halbleiter-Engineering-Team


Materialeigenschaften-Tabelle

Typ 
Einheit
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Farbe
-
Weiß-ElfenbeinWeiß
Elfenbeinweiß
Weiß
Dichte
g/cm³
3,75
3,9
3,92
4,2
Biegefestigkeit
MPa
280
320
370
480
Druckfestigkeit
MPa
2250
2300
2450
2700
Elastizitätsmodul
GPa
330
370
380
350
Bruchzähigkeit
MPa·m^½
3
4
4,5
5.5
Poissonzahl

0.23
0,22
0.22
0.24
Härte
HRA
90
91
91
91
Vickers-Härte
HV1
1450
1550
1600
1600
Thermische Ausdehnung
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6,8
9.2
Wärmeleitfähigkeit
W/m·K
25
32
32
8
Thermischer Schock
ΔT·℃
200
220
220
470
Max. Betriebstemperatur (oxidierend)

1200
1400
1650
1000
Max. Gebrauchstemperatur (reduzierend)

1200
1400
1700
1000
Volumenwiderstand (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Dielektrische Festigkeit
kV/mm
16
20
22
16,5
Dielektrizitätskonstante (1 MHz)
-11.5111011
Dielektrischer Verlust (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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