Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
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Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
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Spezifikationsnummer:SN001Al2O3006
Produkteinführung

Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung


Hochporöser, hochreiner keramischer Vakuum-Chuck für CMP-Prozesse. gleichmäßige Saugkraft, geringe Kontamination und überlegene Ebenheit für präzise Waferpolieranwendungen.


🔹 Kernschlüsselwörter

  • Hauptschlüsselwort: poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck

  • sekundäre Schlüsselwörter:

    • CMP-Vakuumspannfutter

    • Keramischer Wafer-Vakuum-Chuck

    • poröses Keramik-Spannfutter für Wafer-Polieren

    • Hochreine Aluminiumoxid-Vakuumplatte

    • Haltebacken für Halbleiterwafer


Produktübersicht

Die Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP ist ein präzisionsgefertigtes Bauteil, das für die Waferfixierung während der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) Prozesse entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem porösem Alumina (Al₂O₃), bietet es eine gleichmäßige Vakuumverteilung, hervorragende Ebenheit und ultra-niedrige Kontamination, was eine stabile und genaue Waferpolitur gewährleistet.


Hauptmerkmale

1. Hochreines Aluminiumoxid (≥ 99%)
Minimiert das Kontaminationsrisiko in Halbleiterfertigungsumgebungen.

2. Gleichmäßige poröse Struktur
Stellt eine gleichmäßige Vakuumverteilung für stabilen Waferhalt und verbesserte Polierkonsistenz sicher.

3. Ebenheit & Oberflächengenauigkeit
Unterstützt präzise Wafer-Positionierung und gleichmäßige Materialabtragung während CMP.

4. Geringe Partikelgenerierung
Entscheidend für die Aufrechterhaltung der Ausbeute in fortschrittlichen Halbleiterprozessen.

5. Chemische Beständigkeit
Beständig gegen CMP-Schlämme und aggressive Chemikalien.


Anwendungen

  • CMP (Chemisch-mechanische Planarisierungs)-Prozesse

  • Waferpoliersysteme

  • Ausrüstung zur Halbleiterfertigung

  • Präzise Wafer-Handhabung und -Fixierung


Technische Vorteile

  • Kontrollierte Porosität für optimierte Vakuumleistung

  • Hohe mechanische Festigkeit trotz poröser Struktur

  • Thermische Stabilität unter Prozessbedingungen

  • Kompatibel mit ultra-sauberen und Vakuumumgebungen


Anpassungsoptionen

Wir bieten vollständig maßgeschneiderte CMP-Vakuumspannfutter an:

  • Porengröße und Porositätskontrolle

  • Durchmesser und Dicke

  • Oberflächenebenheits-Spezifikationen

  • Vakuumkanaldesign

  • Integration mit CMP-Ausrüstung


Localized Title (US)

Poröser Alumina CMP Vakuum Chuck Anbieter in den USA | Halbleiter-Wafer-Lösungen

Lokalisierter Inhaltsausschnitt

Wir liefern hochpräzise poröse Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Spannfutter für CMP-Anwendungen an Halbleiterhersteller in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere Produkte sind für fortschrittliche Wafer-Bearbeitungsprozesse konzipiert und gewährleisten gleichmäßige Absaugung, geringe Kontamination und hohe Zuverlässigkeit.

Technische Unterstützung und schnelle globale Lieferung verfügbar.


🔹 CTA

  • Angebot für CMP Vakuum Chuck anfordern

  • Benutzerdefiniertes Porositätsdesign erhalten

  • Kontaktieren Sie unser Halbleitertechnik-Team


Materialeigenschaften-Tabelle

Typ
Einheit
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Farbe
-
Weiß-ElfenbeinWeiß
Elfenbeinweiß
Weiß
Dichte
g/cm³
3,75
3,9
3,92
4,2
Biegefestigkeit
MPa
280
320
370
480
Druckfestigkeit
MPa
2250
2300
2450
2700
Elastizitätsmodule
GPa
330
370
380
350
Bruchzähigkeit
MPa·m^½
3
4
4,5
5.5
Poissonzahl

0.23
0,22
0.22
0.24
Härte
HRA
90
91
91
91
Vickers-Härte
HV1
1450
1550
1600
1600
Thermische Ausdehnung
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6,8
9.2
Wärmeleitfähigkeit
W/m·K
25
32
32
8
Thermischer Schock
ΔT·℃
200
220
220
470
Max. Betriebstemperatur (oxidierend)

1200
1400
1650
1000
Maximale Verwendungstemperatur (reduzierend)

1200
1400
1700
1000
Spezifischer Widerstand (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Dielektrische Festigkeit
kV/mm
16
20
22
16,5
Dielektrizitätskonstante (1MHz)
-11.5111011
Dielektrische Verluste (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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