Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
Hochporöse, hochreine Aluminiumoxid-Keramik-Vakuumplatte für CMP-Prozesse. gleichmäßige Saugkraft, geringe Kontamination und überlegene Ebenheit für präzise Waferpolieranwendungen.
🔹 Kernschlüsselwörter
Hauptschlüsselwort: poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck
sekundäre Schlüsselwörter:
CMP-Vakuum-Chuck
Keramische Vakuumplatte für Wafer
poröses Keramikspannmittel für die Waferpolitur
Hochreine Aluminiumoxid-Vakuumplatte
Halteplatte für Halbleiterwafer
Produktübersicht
Die Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP ist ein präzisionsgefertigtes Bauteil, das für die Waferfixierung während der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) Prozesse entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem porösem Alumina (Al₂O₃) bietet es eine gleichmäßige Vakuumverteilung, hervorragende Ebenheit und ultra-niedrige Kontamination, was eine stabile und präzise Waferpolitur gewährleistet.
Hauptmerkmale
1. Hochreines Aluminiumoxid (≥ 99%)
Minimiert das Kontaminationsrisiko in Halbleiterfertigungsumgebungen.
2. Gleichmäßige poröse Struktur
Stellt eine gleichmäßige Vakuumverteilung für eine stabile Waferhaltung und verbesserte Polierkonsistenz sicher.
3. Ebenheit & Oberflächengenauigkeit
Unterstützt präzise Waferpositionierung und gleichmäßige Materialentfernung während CMP.
4. Geringe Partikelerzeugung
Kritisch für die Erhaltung des Ertrags in fortschrittlichen Halbleiterprozessen.
5. Chemische Beständigkeit
Beständig gegen CMP-Schlämme und aggressive Chemikalien.
Anwendungen
CMP (Chemisch-mechanische Planarisierungs)-Prozesse
Waferpoliersysteme
Ausrüstung zur Halbleiterfertigung
Präzise Wafer-Handhabung und -Fixierung
Technische Vorteile
Kontrollierte Porosität für optimierte Vakuumleistung
Hohe mechanische Festigkeit trotz poröser Struktur
Thermische Stabilität unter Prozessbedingungen
Kompatibel mit ultra-reinen und Vakuumumgebungen
Anpassungsoptionen
Wir bieten voll individualisierte CMP-Vakuum-Chucks an:
Porengröße und Porositätskontrolle
Durchmesser und Dicke
Oberflächenebenheits-Spezifikationen
Vakuumkanaldesign
Integration mit CMP-Ausrüstung
Localized Title (US)
Poröser Alumina CMP Vakuum Spannmittel Anbieter in den USA | Halbleiter-Wafer-Lösungen
Lokalisierter Inhaltsausschnitt
Wir liefern hochpräzise poröse Alumina-Keramik-Vakuumspannmittel für CMP-Anwendungen an Halbleiterhersteller in den Vereinigten Staaten. Unsere Produkte sind für die fortschrittliche Waferbearbeitung konzipiert und gewährleisten eine gleichmäßige Saugleistung, geringe Kontamination und hohe Zuverlässigkeit.
Engineering support and fast global delivery available.
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| Typ | Einheit | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Farbe | - | Weißes Elfenbein | Weiß | Elfenbeinweiß | Weiß |
| Dichte | g/cm³ | 3,75 | 3,9 | 3,92 | 4,2 |
| Biegefestigkeit | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Druckfestigkeit | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Elastizitätsmodul | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Bruchzähigkeit | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4,5 | 5.5 |
| Poissonzahl | — | 0.23 | 0.22 | 0.22 | 0.24 |
| Härte | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Vickers-Härte | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Thermische Ausdehnung | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6,8 | 9.2 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Thermischer Schock | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Max. Betriebstemperatur (oxidierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Maximale Verwendungstemperatur (reduzierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Volumenwiderstand (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Dielektrische Festigkeit | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16,5 |
| Dielektrizitätskonstante (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Dielektrischer Verlust (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

