Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
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Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
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Spezifikationsnummer:SN001Al2O3006
Produkteinführung

Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung


Hochporöse, hochreine Aluminiumoxid-Keramik-Vakuumplatte für CMP-Prozesse. gleichmäßige Saugkraft, geringe Kontamination und überlegene Ebenheit für präzise Waferpolieranwendungen.


🔹 Kernschlüsselwörter

  • Hauptschlüsselwort: poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck

  • sekundäre Schlüsselwörter:

    • CMP-Vakuum-Chuck

    • Keramische Vakuumplatte für Wafer

    • poröses Keramikspannmittel für die Waferpolitur

    • Hochreine Aluminiumoxid-Vakuumplatte

    • Halteplatte für Halbleiterwafer


Produktübersicht

Die Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP ist ein präzisionsgefertigtes Bauteil, das für die Waferfixierung während der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) Prozesse entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem porösem Alumina (Al₂O₃) bietet es eine gleichmäßige Vakuumverteilung, hervorragende Ebenheit und ultra-niedrige Kontamination, was eine stabile und präzise Waferpolitur gewährleistet.


Hauptmerkmale

1. Hochreines Aluminiumoxid (≥ 99%)
Minimiert das Kontaminationsrisiko in Halbleiterfertigungsumgebungen.

2. Gleichmäßige poröse Struktur
Stellt eine gleichmäßige Vakuumverteilung für eine stabile Waferhaltung und verbesserte Polierkonsistenz sicher.

3. Ebenheit & Oberflächengenauigkeit
Unterstützt präzise Waferpositionierung und gleichmäßige Materialentfernung während CMP.

4. Geringe Partikelerzeugung
Kritisch für die Erhaltung des Ertrags in fortschrittlichen Halbleiterprozessen.

5. Chemische Beständigkeit
Beständig gegen CMP-Schlämme und aggressive Chemikalien.


Anwendungen

  • CMP (Chemisch-mechanische Planarisierungs)-Prozesse

  • Waferpoliersysteme

  • Ausrüstung zur Halbleiterfertigung

  • Präzise Wafer-Handhabung und -Fixierung


Technische Vorteile

  • Kontrollierte Porosität für optimierte Vakuumleistung

  • Hohe mechanische Festigkeit trotz poröser Struktur

  • Thermische Stabilität unter Prozessbedingungen

  • Kompatibel mit ultra-reinen und Vakuumumgebungen


Anpassungsoptionen

Wir bieten voll individualisierte CMP-Vakuum-Chucks an:

  • Porengröße und Porositätskontrolle

  • Durchmesser und Dicke

  • Oberflächenebenheits-Spezifikationen

  • Vakuumkanaldesign

  • Integration mit CMP-Ausrüstung


Localized Title (US)

Poröser Alumina CMP Vakuum Spannmittel Anbieter in den USA | Halbleiter-Wafer-Lösungen

Lokalisierter Inhaltsausschnitt

Wir liefern hochpräzise poröse Alumina-Keramik-Vakuumspannmittel für CMP-Anwendungen an Halbleiterhersteller in den Vereinigten Staaten. Unsere Produkte sind für die fortschrittliche Waferbearbeitung konzipiert und gewährleisten eine gleichmäßige Saugleistung, geringe Kontamination und hohe Zuverlässigkeit.

Engineering support and fast global delivery available.


🔹 CTA

  • Angebot für CMP Vakuum Spannmittel anfordern

  • Benutzerdefiniertes Porositätsdesign erhalten

  • Kontaktieren Sie unser Halbleiter-Ingenieurteam


Materialeigenschaften-Tabelle

Typ 
Einheit
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Farbe
-
Weißes ElfenbeinWeiß
Elfenbeinweiß
Weiß
Dichte
g/cm³
3,75
3,9
3,92
4,2
Biegefestigkeit
MPa
280
320
370
480
Druckfestigkeit
MPa
2250
2300
2450
2700
Elastizitätsmodul
GPa
330
370
380
350
Bruchzähigkeit
MPa·m^½
3
4
4,5
5.5
Poissonzahl

0.23
0.22
0.22
0.24
Härte
HRA
90
91
91
91
Vickers-Härte
HV1
1450
1550
1600
1600
Thermische Ausdehnung
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6,8
9.2
Wärmeleitfähigkeit
W/m·K
25
32
32
8
Thermischer Schock
ΔT·℃
200
220
220
470
Max. Betriebstemperatur (oxidierend)

1200
1400
1650
1000
Maximale Verwendungstemperatur (reduzierend)

1200
1400
1700
1000
Volumenwiderstand (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Dielektrische Festigkeit
kV/mm
16
20
22
16,5
Dielektrizitätskonstante (1MHz)
-11.5111011
Dielektrischer Verlust (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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