Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP | Hochreine Wafer-Halte-Lösung
Hochreines poröses Aluminiumoxid-Keramik-Vakuumfutter für CMP-Prozesse. Gleichmäßige Absaugung, geringe Kontamination und überlegene Ebenheit für präzise Wafer-Polieranwendungen.
🔹 Kern-Schlüsselwörter
Hauptschlüsselwort: poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck
sekundäre Schlüsselwörter:
CMP-Vakuum-Chuck
Keramik-Wafer-Vakuumfutter
Poröses Keramik-Spannfutter für Wafer-Polieren
Hochreine Aluminiumoxid-Vakuumplatte
Halbleiter-Wafer-Haltefutter
Produktübersicht
Die Poröser Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Chuck für CMP ist eine präzisionsgefertigte Komponente, die für die Waferfixierung während des Chemical Mechanical Planarization (CMP)-Prozesses entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem porösem Aluminiumoxid (Al₂O₃), bietet es eine gleichmäßige Vakuumverteilung, ausgezeichnete Ebenheit und extrem geringe Kontamination, um ein stabiles und genaues Waferpolieren zu gewährleisten.
Hauptmerkmale
1. Hochreines Aluminiumoxid (≥ 99%)
Minimiert das Kontaminationsrisiko in Halbleiterfertigungsumgebungen.
2. Einheitliche poröse Struktur
Gewährleistet gleichmäßige Vakuumverteilung für stabile Wafer-Haltung und verbesserte Polierkonsistenz.
3. Ebenheit & Oberflächengenauigkeit
Unterstützt präzise Wafer-Positionierung und gleichmäßige Materialabtragung während CMP.
4. Geringe Partikelgenerierung
Entscheidend für die Aufrechterhaltung der Ausbeute bei fortschrittlichen Halbleiterprozessen.
5. Chemische Beständigkeit
Beständig gegen CMP-Slurries und aggressive Chemikalien.
Anwendungen
CMP (Chemisch-mechanische Planarisierung) Prozesse
Wafer-Poliersysteme
Ausrüstung für die Halbleiterfertigung
Präzise Wafer-Handhabung und -Fixierung
Technische Vorteile
Kontrollierte Porosität für optimierte Vakuumleistung
Hohe mechanische Festigkeit trotz poröser Struktur
Thermische Stabilität unter Prozessbedingungen
Kompatibel mit ultrareinen und Vakuumumgebungen
Anpassungsoptionen
Wir bieten voll individualisierte CMP-Vakuum-Chucks an:
Porengröße und Porositätskontrolle
Durchmesser und Dicke
Oberflächenebene-Spezifikationen
Design des Vakuumkanals
Integration mit CMP-Ausrüstung
Lokalisierter Titel (US)
Lieferant für poröse Aluminiumoxid-CMP-Vakuum-Spannfutter in den USA | Halbleiter-Wafer-Lösungen
Lokalisierter Inhaltsausschnitt
Wir liefern hochpräzise poröse Aluminiumoxid-Keramik-Vakuum-Spannfutter für CMP-Anwendungen an Halbleiterhersteller in den gesamten Vereinigten Staaten. Unsere Produkte sind für die fortschrittliche Wafer-Bearbeitung konzipiert und gewährleisten gleichmäßige Absaugung, geringe Kontamination und hohe Zuverlässigkeit.
Technischer Support und schnelle weltweite Lieferung verfügbar.
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| Typ | Einheit | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Farbe | - | Weiß-Elfenbein | Weiß | Elfenbeinweiß | Weiß |
| Dichte | g/cm³ | 3,75 | 3,9 | 3,92 | 4,2 |
| Biegefestigkeit | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Druckfestigkeit | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Elastizitätsmodul | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Bruchzähigkeit | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4,5 | 5.5 |
| Poissonzahl | — | 0.23 | 0,22 | 0.22 | 0.24 |
| Härte | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Vickers-Härte | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Thermische Ausdehnung | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6,8 | 9.2 |
| Wärmeleitfähigkeit | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Thermischer Schock | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Max. Betriebstemperatur (oxidierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Max. Einsatztemperatur (reduzierend) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Spezifischer Widerstand (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Dielektrische Festigkeit | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16,5 |
| Dielektrizitätskonstante (1 MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Dielektrischer Verlust (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |
