Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Fixação de Wafer de Alta Pureza
Chuck de cerâmica porosa de alta pureza para processos CMP. sucção uniforme, baixa contaminação e superior planicidade para aplicações de polimento de wafer de precisão.
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Visão Geral do Produto
O Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP é um componente projetado com precisão para fixação de bolachas durante processos de Planarização Mecânica Química (CMP). Fabricado a partir de alumina porosa de alta pureza (Al₂O₃), proporciona distribuição uniforme de vácuo, excelente planicidade e contaminação ultrabaixa, garantindo polimento estável e preciso da bolacha.
Principais Características
1. Alumina de Alta Pureza (≥ 99%)
Minimiza o risco de contaminação em ambientes de fabricação de semicondutores.
2. Estrutura Porosa Uniforme
Garante distribuição uniforme do vácuo para fixação estável do wafer e melhora na consistência do polimento.
3. Planicidade e Precisão de Superfície
Suporta posicionamento preciso do wafer e remoção uniforme de material durante o CMP.
4. Baixa Geração de Partículas
Crítico para manter o rendimento em processos avançados de semicondutores.
5. Resistência Química
Resistente a lamas de CMP e produtos químicos agressivos.
Aplicações
processos de CMP (Planarização Químico-Mecânica)
Sistemas de polimento de bolachas
Equipamento de fabricação de semicondutores
Manuseio e fixação de wafer de precisão
Vantagens Técnicas
Porosidade controlada para desempenho otimizado em vácuo
Alta resistência mecânica apesar da estrutura porosa
Estabilidade térmica sob condições de processo
Compatível com ambientes ultralimpos e de vácuo
Opções de Personalização
Fornecemos mandris de vácuo CMP totalmente personalizados:
Tamanho dos poros e controle de porosidade
Diâmetro e espessura
Especificações de planicidade da superfície
Design do canal de vácuo
Integração com equipamentos de CMP
Título Localizado (EUA)
Fornecedor de Mandril a Vácuo de Alumina Porosa para CMP nos EUA | Soluções para Bolachas Semicondutoras
Trecho de Conteúdo Localizado
Fornecemos mandris de cerâmica de alumina porosa de alta precisão para aplicações de CMP para fabricantes de semicondutores em todos os Estados Unidos. Projetados para processamento avançado de wafers, nossos produtos garantem sucção uniforme, baixa contaminação e alta confiabilidade.
Suporte de engenharia e entrega global rápida disponível.
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| Tipo | Unidade | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Cor | - | Marfim branco | Branco | Branco Marfim | Branco |
| Densidade | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Resistência à Flexão | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Resistência à Compressão | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Módulos de Elasticidade | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacidade à Fratura | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Coeficiente de Poisson | — | 0.23 | 0,22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureza | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureza Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansão Térmica | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Condutividade Térmica | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choque Térmico | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Máx. de Uso (Reduzindo) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Resistividade Volumétrica (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Resistência Die elétrica | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Constante Dielétrica (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Perda Die elétrica (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

