Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Retenção de Wafer de Alta Pureza
Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Retenção de Wafer de Alta Pureza
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Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Retenção de Wafer de Alta Pureza
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Disponível
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LC, T/T
OEM/ODM:
disponível
Detalhes do Produto
Anexos
FAQ
Detalhes essenciais
Envio:Entrega expressa
número da especificação:SN001Al2O3006
Introdução do Produto

Chuck de Cerâmica de Alumina Porosa a Vácuo para CMP | Solução de Fixação de Wafer de Alta Pureza


Mandril de vácuo de cerâmica de alumina porosa de alta pureza para processos de CMP. Sucção uniforme, baixa contaminação e planicidade superior para aplicações de polimento de wafer de precisão.


🔹 Palavras-chave Principais

  • palavra-chave principal: chuck de cerâmica de alumina porosa a vácuo

  • palavras-chave secundárias:

    • Placa de vácuo CMP

    • mandril de vácuo de wafer de cerâmica

    • mandril de cerâmica porosa para polimento de wafers

    • placa de alumina de alta pureza a vácuo

    • mandril de retenção de wafer de semicondutor


Visão Geral do Produto

O Chuck de Cerâmica de Alumina Porosa a Vácuo para CMP é um componente projetado com precisão para fixação de bolachas durante processos de Planarização Mecânica Química (CMP). Fabricado a partir de alumina porosa de alta pureza (Al₂O₃), proporciona distribuição uniforme de vácuo, excelente planicidade e contaminação ultrabaixa, garantindo polimento estável e preciso da bolacha.


Principais Características

1. Alumina de Alta Pureza (≥ 99%)
Minimiza o risco de contaminação em ambientes de fabricação de semicondutores.

2. Estrutura Porosa Uniforme
Garante distribuição uniforme de vácuo para retenção estável do wafer e consistência aprimorada de polimento.

3. Planicidade e Precisão de Superfície
Suporta posicionamento preciso do wafer e remoção uniforme de material durante o CMP.

4. Baixa Geração de Partículas
Crítico para manter o rendimento em processos avançados de semicondutores.

5. Resistência Química
Resistente a lamas de CMP e produtos químicos agressivos.


Aplicações

  • processos de CMP (Planarização Química Mecânica)

  • Sistemas de polimento de bolachas

  • Equipamentos de fabricação de semicondutores

  • manipulação e fixação de wafer de precisão


Vantagens Técnicas

  • Porosidade controlada para desempenho otimizado de vácuo

  • Alta resistência mecânica apesar da estrutura porosa

  • Estabilidade térmica sob condições de processo

  • Compatível com ambientes ultralimpos e a vácuo


Opções de Personalização

Fornecemos placas de vácuo CMP totalmente personalizadas:

  • Tamanho de poro e controle de porosidade

  • Diâmetro e espessura

  • Especificações de planicidade da superfície

  • Design do canal de vácuo

  • Integração com equipamentos CMP


Título Localizado (EUA)

Fornecedor de Mandril a Vácuo de Alumina Porosa para CMP nos EUA | Soluções para Bolachas Semicondutoras

Trecho de Conteúdo Localizado

Fornecemos mandris de cerâmica de alumina porosa de alta precisão para aplicações CMP para fabricantes de semicondutores em todos os Estados Unidos. Projetados para processamento avançado de wafers, nossos produtos garantem sucção uniforme, baixa contaminação e alta confiabilidade.

Suporte de engenharia e entrega global rápida disponíveis.


🔹 CTA

  • Solicitar Orçamento para Mandril a Vácuo de CMP

  • Obter Design de Porosidade Personalizado

  • Entre em contato com nossa equipe de engenharia de semicondutores


Tabela de Características do Material

Tipo 
Unidade
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Cor
-
Marfim brancoBranco
Branco Marfim
Branco
Densidade
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
Resistência à Flexão
MPa
280
320
370
480
Resistência à Compressão
MPa
2250
2300
2450
2700
Módulos de Elasticidade
GPa
330
370
380
350
Tenacidade à Fratura
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
Razão de Poisson

0.23
0,22
0.22
0.24
Dureza
HRA
90
91
91
91
Dureza Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Expansão Térmica
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
Condutividade Térmica
W/m·K
25
32
32
8
Choque Térmico
ΔT·℃
200
220
220
470
Temperatura Máxima de Uso(Oxidante)

1200
1400
1650
1000
Temp. Máx. de Uso (Redução)

1200
1400
1700
1000
Resistividade Volumétrica (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Rigidez Dielétrica
kV/mm
16
20
22
16.5
Constante Dielétrica(1MHz)
-11.5111011
Perda Dielétrica (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

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