Placa de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Fixação de Wafer de Alta Pureza
Chuck de cerâmica porosa de alta pureza para processos CMP. sucção uniforme, baixa contaminação e superior planicidade para aplicações de polimento de wafer de precisão.
🔹 Palavras-chave Principais
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Visão Geral do Produto
O Placa de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP é um componente projetado com precisão para fixação de wafers durante processos de Planarização Mecânica Química (CMP). Fabricado a partir de alumina porosa de alta pureza (Al₂O₃), proporciona distribuição uniforme de vácuo, excelente planicidade e contaminação ultra-baixa, garantindo polimento de wafer estável e preciso.
Principais Características
1. Alumina de Alta Pureza (≥ 99%)
Minimiza o risco de contaminação em ambientes de fabricação de semicondutores.
2. Estrutura Porosa Uniforme
Garante distribuição uniforme do vácuo para fixação estável do wafer e melhor consistência de polimento.
3. Planicidade & Precisão de Superfície
Suporta posicionamento preciso do wafer e remoção uniforme de material durante o CMP.
4. Baixa Geração de Partículas
Crítico para manter o rendimento em processos avançados de semicondutores.
5. Resistência Química
Resistente a slurries CMP e produtos químicos agressivos.
Aplicações
processos de CMP (Planarização Químico-Mecânica)
Sistemas de polimento de wafer
Equipamento de fabricação de semicondutores
Manuseio e fixação de wafer de precisão
Vantagens Técnicas
Porosidade controlada para desempenho otimizado de vácuo
Alta resistência mecânica apesar da estrutura porosa
Estabilidade térmica sob condições de processo
Compatível com ambientes ultralimpos e de vácuo
Opções de Personalização
Fornecemos mandris de vácuo CMP totalmente personalizados:
Controle de tamanho de poro e porosidade
Diâmetro e espessura
Especificações de planicidade da superfície
Design do canal de vácuo
Integração com equipamentos CMP
Título Localizado (EUA)
Fornecedor de Chuck de Vácuo de Alumina Porosa nos EUA | Soluções para Wafer de Semicondutor
Trecho de Conteúdo Localizado
Fornecemos mandris de cerâmica de alumina porosa de alta precisão para aplicações CMP para fabricantes de semicondutores em todos os Estados Unidos. Projetados para processamento avançado de wafers, nossos produtos garantem sucção uniforme, baixa contaminação e alta confiabilidade.
Suporte de engenharia e entrega global rápida disponível.
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| Tipo | Unidade | A‑100 | A‑200 | A‑300 | AZ‑100 |
| Material | - | Al₂O₃ 97% | Al₂O₃ 99,5% | Al₂O₃ 99,7% | Al₂O₃‑ZrO₂ |
| Cor | - | Marfim branco | Branco | Branco Marfim | Branco |
| Densidade | g/cm³ | 3.75 | 3.9 | 3.92 | 4.2 |
| Resistência à Flexão | MPa | 280 | 320 | 370 | 480 |
| Resistência à Compressão | MPa | 2250 | 2300 | 2450 | 2700 |
| Módulos de Elasticidade | GPa | 330 | 370 | 380 | 350 |
| Tenacidade à Fratura | MPa·m^½ | 3 | 4 | 4.5 | 5.5 |
| Coeficiente de Poisson | — | 0.23 | 0,22 | 0.22 | 0.24 |
| Dureza | HRA | 90 | 91 | 91 | 91 |
| Dureza Vickers | HV1 | 1450 | 1550 | 1600 | 1600 |
| Expansão Térmica | 10⁻⁶K⁻¹ | 7.1 | 6.8 | 6.8 | 9.2 |
| Condutividade Térmica | W/m·K | 25 | 32 | 32 | 8 |
| Choque Térmico | ΔT·℃ | 200 | 220 | 220 | 470 |
| Temp. Máx. de Uso (Oxidante) | ℃ | 1200 | 1400 | 1650 | 1000 |
| Temp. Máx. de Uso (Reduzindo) | ℃ | 1200 | 1400 | 1700 | 1000 |
| Resistividade Volumétrica (20℃) | Ω·cm | 10¹⁴ | 10¹⁵ | 10¹⁵ | 10¹⁴ |
| Resistência Die elétrica | kV/mm | 16 | 20 | 22 | 16.5 |
| Constante Dielétrica (1MHz) | - | 11.5 | 11 | 10 | 11 |
| Perda Die elétrica (tanδ) | 1MHz | 3×10⁻³ | 1×10⁻³ | 1×10⁻³ | 2×10⁻² |

