Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Fixação de Wafer de Alta Pureza
Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Fixação de Wafer de Alta Pureza
HOT
Mandril de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Retenção de Wafer de Alta Pureza
Personalização:
Disponível
Termos de Pagamento:
LC, T/T
OEM/ODM:
disponível
Detalhes do Produto
Anexos
FAQ
Detalhes essenciais
Envio:Entrega expressa
número da especificação:SN001Al2O3006
Introdução do Produto

Placa de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP | Solução de Fixação de Wafer de Alta Pureza


Chuck de cerâmica porosa de alta pureza para processos CMP. sucção uniforme, baixa contaminação e superior planicidade para aplicações de polimento de wafer de precisão.


🔹 Palavras-chave Principais

  • palavra-chave principal: placa de vácuo de cerâmica de alumina porosa

  • palavras-chave secundárias:

    • Mandril de vácuo CMP

    • chuck de vácuo de cerâmica para wafer

    • mandril de cerâmica porosa para polimento de wafers

    • placa de vácuo de alumina de alta pureza

    • semiconductor wafer holding chuck


Visão Geral do Produto

O Placa de Vácuo de Cerâmica de Alumina Porosa para CMP é um componente projetado com precisão para fixação de wafers durante processos de Planarização Mecânica Química (CMP). Fabricado a partir de alumina porosa de alta pureza (Al₂O₃), proporciona distribuição uniforme de vácuo, excelente planicidade e contaminação ultra-baixa, garantindo polimento de wafer estável e preciso.


Principais Características

1. Alumina de Alta Pureza (≥ 99%)
Minimiza o risco de contaminação em ambientes de fabricação de semicondutores.

2. Estrutura Porosa Uniforme
Garante distribuição uniforme do vácuo para fixação estável do wafer e melhor consistência de polimento.

3. Planicidade & Precisão de Superfície
Suporta posicionamento preciso do wafer e remoção uniforme de material durante o CMP.

4. Baixa Geração de Partículas
Crítico para manter o rendimento em processos avançados de semicondutores.

5. Resistência Química
Resistente a slurries CMP e produtos químicos agressivos.


Aplicações

  • processos de CMP (Planarização Químico-Mecânica)

  • Sistemas de polimento de wafer

  • Equipamento de fabricação de semicondutores

  • Manuseio e fixação de wafer de precisão


Vantagens Técnicas

  • Porosidade controlada para desempenho otimizado de vácuo

  • Alta resistência mecânica apesar da estrutura porosa

  • Estabilidade térmica sob condições de processo

  • Compatível com ambientes ultralimpos e de vácuo


Opções de Personalização

Fornecemos mandris de vácuo CMP totalmente personalizados:

  • Controle de tamanho de poro e porosidade

  • Diâmetro e espessura

  • Especificações de planicidade da superfície

  • Design do canal de vácuo

  • Integração com equipamentos CMP


Título Localizado (EUA)

Fornecedor de Chuck de Vácuo de Alumina Porosa nos EUA | Soluções para Wafer de Semicondutor

Trecho de Conteúdo Localizado

Fornecemos mandris de cerâmica de alumina porosa de alta precisão para aplicações CMP para fabricantes de semicondutores em todos os Estados Unidos. Projetados para processamento avançado de wafers, nossos produtos garantem sucção uniforme, baixa contaminação e alta confiabilidade.

Suporte de engenharia e entrega global rápida disponível.


🔹 CTA

  • Solicitar um Orçamento para Chuck de Vácuo CMP

  • Obter Design de Porosidade Personalizado

  • Entre em contato com nossa equipe de engenharia de semicondutores


Tabela de Características do Material

Tipo
Unidade
A‑100
A‑200
A‑300
AZ‑100
Material
-Al₂O₃ 97%
Al₂O₃ 99,5%
Al₂O₃ 99,7%
Al₂O₃‑ZrO₂
Cor
-
Marfim brancoBranco
Branco Marfim
Branco
Densidade
g/cm³
3.75
3.9
3.92
4.2
Resistência à Flexão
MPa
280
320
370
480
Resistência à Compressão
MPa
2250
2300
2450
2700
Módulos de Elasticidade
GPa
330
370
380
350
Tenacidade à Fratura
MPa·m^½
3
4
4.5
5.5
Coeficiente de Poisson

0.23
0,22
0.22
0.24
Dureza
HRA
90
91
91
91
Dureza Vickers
HV1
1450
1550
1600
1600
Expansão Térmica
10⁻⁶K⁻¹
7.1
6.8
6.8
9.2
Condutividade Térmica
W/m·K
25
32
32
8
Choque Térmico
ΔT·℃
200
220
220
470
Temp. Máx. de Uso (Oxidante)

1200
1400
1650
1000
Temp. Máx. de Uso (Reduzindo)

1200
1400
1700
1000
Resistividade Volumétrica (20℃)
Ω·cm
10¹⁴
10¹⁵
10¹⁵
10¹⁴
Resistência Die elétrica
kV/mm
16
20
22
16.5
Constante Dielétrica (1MHz)
-11.5111011
Perda Die elétrica (tanδ)
1MHz
3×10⁻³
1×10⁻³
1×10⁻³
2×10⁻²

Telefone
WhatsApp
E-mail